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公开(公告)号：CN118929560A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410812768.2
申请日：2024-06-22
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有低电阻纵向布线的MEMS谐振芯片结构，属于MEMS技术领域。它包括由下到上依次设置的衬底层、具有谐振结构的结构层和盖帽层，衬底层和结构层之间通过衬底氧化层形成绝缘键合；盖帽层与结构层通过盖帽键合介质层键合连接；衬底层的内侧设有面向谐振结构的衬底空腔；盖帽层表面设有钝化层，盖帽层的内侧设有面向谐振结构的盖帽浅腔，盖帽层中设有用于信号传导的纵向布线，纵向布线周面设有用于和周侧体硅隔离的纵向绝缘环，纵向布线的外端与外露于钝化层表面的焊盘电性连接、内端通过金硅共晶反应所形成的共晶金属连接在谐振结构上。本发明可有效减小MEMS谐振芯片信号传输的寄生电阻和RC延迟，提高器件性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN117434095A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311660592.5
申请日：2023-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01N23/2204 , G01N23/2251
Abstract: 本发明提供了一种MEMS晶圆微结构取样装置，包括框架、水平定距位移台、三轴位移台、晶圆托盘、晶圆、显微镜筒、取样杆和扫描电镜样品台；其中，框架包括底座和横梁；水平定距位移台安装在底座上，可往返移动于显微镜筒与取样杆的正下方位置之间；三轴位移台安装在水平定距位移台上部，用于实现三个方向轴上的平移；晶圆托盘安装在三轴位移台上部，用于容置晶圆；显微镜筒安装于横梁，用于观察晶圆微结构；取样杆安装于横梁，且与显微镜筒的安装位置位于同一水平线；扫描电镜样品台安装于取样杆底部，底端设有导电胶带。本发明还提供了一种MEMS晶圆微结构取样方法。本发明取样简单、定位准确，同时符合规范，不易引入沾污。
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公开(公告)号：CN113790835A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111110194.7
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明提供一种岛膜结构的硅压力传感器芯片制造方法，其特征在于：它包括以下步骤1)选取第一硅片(1)；2）背腔和硅岛制作；3）衬底片制作；4）晶圆级键合；5）底层硅和埋氧层去除；6)压阻制作；7）接触孔制作；8）引线制作。本发明具有操作方便、步骤清晰，可以使得硅岛膜结构一次成型，硅岛的高度可以精确控制，并且兼容湿法腐蚀工艺。
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公开(公告)号：CN112265956A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011024266.1
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种不同真空度封装的MEMS圆片级真空封装方法，包括以下步骤：MEMS衬底晶圆制作；将SOI顶层硅面与衬底晶圆顶面键合；去除SOI晶圆的底层硅和埋氧层，通过深硅刻蚀工艺将SOI晶圆的顶层硅释放形成两个可动结构，得到包含第一MEMS结构与第二MEMS结构的MEMS器件结构晶圆；制备第一盖帽；第一次真空封装；在第一盖帽刻蚀透气孔；第二次真空封装；该方法能够在同一圆片上制作不同MEMS器件时实现不同真空度的封装需求，容易实施，且过程可控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117008321A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310994431.3
申请日：2023-08-09
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种宽可调范围的MEMS法布里珀罗滤波器芯片结构，它包括固定镜结构和连接在其上方的可动镜结构，可动镜结构和固定镜结构共同构成FP谐振腔，固定镜结构具有第一电极、可动镜结构具有第二电极，当第一、第二电极存在电势差时，可动镜结构向固定镜结构偏移，FP谐振腔的腔长减小，可动镜结构上方设有与之连接的顶部固定结构，顶部固定结构与可动镜结构之间具有空腔，顶部固定结构具有第三电极，当第二、第三电极存在电势差时，可动镜结构向顶部固定结构偏移，使FP谐振腔的腔长增大。本发明拓展了FP谐振腔可动镜的位移方向，同样的作用力下可动镜运动的位移大小并未改变，进而在增加了腔长调谐范围的同时，其腔长调谐精度未受到影响。
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公开(公告)号：CN110562910A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910793427.4
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种MEMS圆片级真空封装方法，包括以下步骤：S1、制作衬底层：在双抛硅片上制作出填充好绝缘介质的环形槽，形成硅垂直引线，并刻蚀出深腔作为MEMS可动结构的活动空间；S2、制作结构层；S3、制作盖帽层：在双抛硅片正面制作出真空腔室和真空缓冲腔室，然后制作Ti/Au金硅键合键合环，最后在真空腔室和真空缓冲腔室中制备吸气剂层；S4、真空封装：将制备好的盖帽和结构层进行金硅键合工艺，完成MEMS圆片级真空封装，最后制备金焊点用于引线键合；通过真空腔室与真空缓冲腔室提高MEMS器件的真空度，并吸气剂吸除多余的气体，使真空度能够长期保持。
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公开(公告)号：CN117289566A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311329911.4
申请日：2023-10-16
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种提升双面光刻对准精度的方法，包括以下步骤：制作掩膜板，它具有用于晶圆正面的第一步进对准标记、第一套刻检查标记和第一层图形，用于晶圆反面的第二步进对准标记、第二套刻检查标记和第二层图形；取硅晶圆，在晶圆正面光刻第一步进对准标记、第一套刻检查标记和第一层图形；在晶圆背面光刻第二步进对准标记、第二套刻检查标记；利用双面套刻检查设备，测量第一、第二套刻标记的偏差参数；将测得的套刻偏差参数补偿到背面的光刻程序中，利用第二步进对准标记进行对准，光刻第二层图形。本发明将测量第一、第二套刻标记的偏差参数，补偿到背面的光刻程序中光刻第二层图形，提高双面光刻对准精度至纳米量级。
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公开(公告)号：CN112265956B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202011024266.1
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种不同真空度封装的MEMS圆片级真空封装方法，包括以下步骤：MEMS衬底晶圆制作；将SOI顶层硅面与衬底晶圆顶面键合；去除SOI晶圆的底层硅和埋氧层，通过深硅刻蚀工艺将SOI晶圆的顶层硅释放形成两个可动结构，得到包含第一MEMS结构与第二MEMS结构的MEMS器件结构晶圆；制备第一盖帽；第一次真空封装；在第一盖帽刻蚀透气孔；第二次真空封装；该方法能够在同一圆片上制作不同MEMS器件时实现不同真空度的封装需求，容易实施，且过程可控。
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