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公开(公告)号：CN112265956B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202011024266.1
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种不同真空度封装的MEMS圆片级真空封装方法，包括以下步骤：MEMS衬底晶圆制作；将SOI顶层硅面与衬底晶圆顶面键合；去除SOI晶圆的底层硅和埋氧层，通过深硅刻蚀工艺将SOI晶圆的顶层硅释放形成两个可动结构，得到包含第一MEMS结构与第二MEMS结构的MEMS器件结构晶圆；制备第一盖帽；第一次真空封装；在第一盖帽刻蚀透气孔；第二次真空封装；该方法能够在同一圆片上制作不同MEMS器件时实现不同真空度的封装需求，容易实施，且过程可控。
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公开(公告)号：CN115626606A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211341930.4
申请日：2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种制作MOEMS器件下梳齿的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、取第一SOI晶圆，在其上制作浅腔和隔离槽；S2、第一次刻蚀下梳齿，形成下梳齿的第一部分；S3、第二次刻蚀下梳齿，形成下梳齿的第二部分；S4、取第二SOI晶圆，而后将第一、二SOI晶圆键合；S5、刻蚀上梳齿同时第三次刻蚀下梳齿，最终形成高垂直度下梳齿结构。本发明工艺方法简单，解决了常规工艺方法制作的下梳齿垂直度低，剖面形状变为“异形”的问题；保证了上下梳齿间距的高精度和MOEMS器件的高性能。
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公开(公告)号：CN115611231A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211341952.0
申请日：2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种SOI硅片与玻璃的晶圆级键合方法，其特征在于：它包括以下步骤：1）取SOI硅片和玻璃片；2）对SOI硅片与玻璃进行清洗；3）阿金SOI硅片和玻璃片贴合在一起，并将SOI硅片的部分键合层裸露在玻璃片之外；4）将玻璃片与电源负极连通，将键合层与电源正极连通，将器件层与电源零位连通。本发明操作简单、步骤简要，无需考虑SOI硅片绝缘埋层厚度和SOI硅片器件层离子分布不受阳极键合影响，键合电压不会击穿SOI硅片的绝缘埋层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105293419A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510661530.5
申请日：2015-10-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种防止悬浮层刻蚀损伤的MEMS器件，其特征在于：衬底硅（3）表面设有浅腔（4）、电极（9）及电极隔离槽（5），在浅腔（4）表面设有厚度1500？-5000？的第一氧化层（6）和厚度范围500？-1500？的第二氧化层（7），可动结构层（8）键合到衬底的SOI硅片顶层硅（3）上；盖帽硅片（10）通过玻璃浆料（11）与衬底的SOI硅片顶层硅（3）键合，实现晶圆级真空封装。本发明与传统MEMS器件相比优点在于：采用台阶式二氧化硅层对下电极结构进行保护，即能很好地保护下电极结构不被刻蚀，又能避免结构层发生刻蚀反溅损伤，保证可动结构的完整性，器件结构实现方法简单、可行，便于形成标准工艺。
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公开(公告)号：CN117434095A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311660592.5
申请日：2023-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01N23/2204 , G01N23/2251
Abstract: 本发明提供了一种MEMS晶圆微结构取样装置，包括框架、水平定距位移台、三轴位移台、晶圆托盘、晶圆、显微镜筒、取样杆和扫描电镜样品台；其中，框架包括底座和横梁；水平定距位移台安装在底座上，可往返移动于显微镜筒与取样杆的正下方位置之间；三轴位移台安装在水平定距位移台上部，用于实现三个方向轴上的平移；晶圆托盘安装在三轴位移台上部，用于容置晶圆；显微镜筒安装于横梁，用于观察晶圆微结构；取样杆安装于横梁，且与显微镜筒的安装位置位于同一水平线；扫描电镜样品台安装于取样杆底部，底端设有导电胶带。本发明还提供了一种MEMS晶圆微结构取样方法。本发明取样简单、定位准确，同时符合规范，不易引入沾污。
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公开(公告)号：CN112265956A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011024266.1
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种不同真空度封装的MEMS圆片级真空封装方法，包括以下步骤：MEMS衬底晶圆制作；将SOI顶层硅面与衬底晶圆顶面键合；去除SOI晶圆的底层硅和埋氧层，通过深硅刻蚀工艺将SOI晶圆的顶层硅释放形成两个可动结构，得到包含第一MEMS结构与第二MEMS结构的MEMS器件结构晶圆；制备第一盖帽；第一次真空封装；在第一盖帽刻蚀透气孔；第二次真空封装；该方法能够在同一圆片上制作不同MEMS器件时实现不同真空度的封装需求，容易实施，且过程可控。
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公开(公告)号：CN105293419B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510661530.5
申请日：2015-10-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种防止悬浮层刻蚀损伤的MEMS器件，其特征在于：衬底硅（3）表面设有浅腔4）、电极（9）及电极隔离槽（5），在浅腔（4）表面设有厚度1500Å-5000Å的第一氧化层（6）和厚度范围500Å-1500Å的第二氧化层（7），可动结构层8）键合到衬底的SOI硅片顶层硅（3）上；盖帽硅片（10）通过玻璃浆料（11）与衬底的SOI硅片顶层硅（3）键合，实现晶圆级真空封装。本发明与传统MEMS器件相比优点在于：采用台阶式二氧化硅层对下电极结构进行保护，即能很好地保护下电极结构不被刻蚀，又能避免结构层发生刻蚀反溅损伤，保证可动结构的完整性，器件结构实现方法简单、可行，便于形成标准工艺。
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公开(公告)号：CN221326381U
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202323311984.9
申请日：2023-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01N23/2204 , G01N23/2251
Abstract: 本实用新型提供了一种MEMS晶圆微结构取样装置，包括框架、水平定距位移台、三轴位移台、晶圆托盘、晶圆、显微镜筒、取样杆和扫描电镜样品台；其中，框架包括底座和横梁；水平定距位移台安装在底座上，可往返移动于显微镜筒与取样杆的正下方位置之间；三轴位移台安装在水平定距位移台上部，用于实现三个方向轴上的平移；晶圆托盘安装在三轴位移台上部，用于容置晶圆；显微镜筒安装于横梁，用于观察晶圆微结构；取样杆安装于横梁，且与显微镜筒的安装位置位于同一水平线；扫描电镜样品台安装于取样杆底部，底端设有导电胶带。本实用新型装置取样简单、定位准确，同时符合规范，不易引入沾污。
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