公开(公告)号：CN112271133A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202011026789.X

申请日：2020-09-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 张胜兵 ,  曾鸣鸣 ,  孟洁 ,  白建新 ,  丁艳丽

IPC: H01L21/027 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开一种基于三层胶的金属剥离方法，包括以下步骤：选择基片并清洗；在基片顶面旋涂第一光刻胶层；根据金属版图图形，在第一光刻胶层上进行图形曝光、显影；旋涂LOR胶层；在LOR胶层顶面旋涂第二光刻胶层；根据金属版图图形，在第二光刻胶层上进行图形曝光、显影；同时显影去除相对应的LOR胶层区域，使基片顶面的图形区域暴露；第二光刻胶层的图形内切小于第一光刻胶层的图形内切；溅射金属Pt，在基片顶面的图形区域得到金属图形；采用超声浸泡和剥离工艺，对剩余的第一光刻胶层、LOR胶层与第二光刻胶层同时剥离；该方法能够用于高精度线宽控制的金属图形化，提高金属线宽的均匀性，提高良率，且工艺简单。

公开(公告)号：CN110683509B

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN201910793476.8

申请日：2019-08-27

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 王鹏 ,  张胜兵 ,  包星晨 ,  吴梦茹 ,  吕杰

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明公开一种抗干扰MEMS器件的制备方法，包括以下步骤：S1、在衬底层晶圆制备隔离槽；S2、在隔离槽内填充绝缘介质层与隔离介质层，形成垂直引线；S3、在感应电极结构层晶圆制备感应电极中心锚点及硅支撑柱；S4、将步骤S2与步骤S3得到的晶圆相键合；S5、在可动敏感结构层晶圆制备可动结构中心锚点；S6、将步骤S5与步骤S4得到的晶圆相键合，再光刻与刻蚀形成可动敏感结构以及感应电极；S7、制备盖帽；S8、将步骤S7与步骤S4得到的晶圆相键合；S9、制备接触孔；S10、在接触孔处制备用于引线键合的PAD点；本方法得到的MEMS器件能够降低外界干扰对器件性能的影响，且加工工艺简单。

公开(公告)号：CN113816335A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202111110195.1

申请日：2021-09-23

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 赵斌 ,  张帅 ,  张胜兵 ,  宋东方 ,  白建新

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种硅基晶圆双层光刻胶的金属剥离制备方法，它包括以下步骤a）晶圆清洗；b）通过光刻在晶圆表面制备需要的图形；c）在晶圆上形成金属膜；d）通过剥离得到图形化的金属膜层。本发明适合用于金属溅射工艺中，更适合用在金属蒸镀工艺，能有效保证金属薄膜剥离效果，确保线宽均匀性等优点。

公开(公告)号：CN114132893A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111479935.9

申请日：2021-12-07

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 何凯旋 ,  刘磊 ,  吕东锋 ,  郭立建 ,  张胜兵

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明提供一种压阻式角度反馈传感器MOEMS微镜制备方法，它包括以下步骤：（1）衬底层制作，（2）SOI层制作，（3）键合晶圆制作。本发明可实现静电驱动微镜与介质隔离压阻式反馈传感器集成制造，可以将压敏电阻的漏电流降低到几个nA量级以下，大幅提高角度检测传感器稳定性。

公开(公告)号：CN110668391A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201910793511.6

申请日：2019-08-27

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 何凯旋 ,  喻磊 ,  郭立建 ,  姜楠 ,  张胜兵 ,  郭群英

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  G01P15/12

Abstract: 本发明公开一种具有应力释放功能的双端固支板式MEMS结构，包括相互键合的衬底层与可动结构层，衬底层顶部中心设有空腔，衬底层顶部设有环形隔离槽，环形隔离槽位于空腔外周，环形隔离槽与空腔之间形成环形固定锚点；可动结构层包含可动结构外框，可动结构外框内设有双端固支板结构，可动结构外框与双端固支板结构之间形成环形应力释放槽，环形应力释放槽与环形隔离槽相对应；环形固定锚点对双端固支板结构形成支撑；双端固支板结构的四角与可动结构外框的四个内角之间分别对应设有应力释放连接梁；本发明在保证传感器谐振频率不降低的情况下极大地减小了传感器对热应力的敏感度。

公开(公告)号：CN110668391B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201910793511.6

申请日：2019-08-27

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 何凯旋 ,  喻磊 ,  郭立建 ,  姜楠 ,  张胜兵 ,  郭群英

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  G01P15/12

Abstract: 本发明公开一种具有应力释放功能的双端固支板式MEMS结构，包括相互键合的衬底层与可动结构层，衬底层顶部中心设有空腔，衬底层顶部设有环形隔离槽，环形隔离槽位于空腔外周，环形隔离槽与空腔之间形成环形固定锚点；可动结构层包含可动结构外框，可动结构外框内设有双端固支板结构，可动结构外框与双端固支板结构之间形成环形应力释放槽，环形应力释放槽与环形隔离槽相对应；环形固定锚点对双端固支板结构形成支撑；双端固支板结构的四角与可动结构外框的四个内角之间分别对应设有应力释放连接梁；本发明在保证传感器谐振频率不降低的情况下极大地减小了传感器对热应力的敏感度。

公开(公告)号：CN110683509A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910793476.8

申请日：2019-08-27

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 王鹏 ,  张胜兵 ,  包星晨 ,  吴梦茹 ,  吕杰

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明公开一种抗干扰MEMS器件的制备方法，包括以下步骤：S1、在衬底层晶圆制备隔离槽；S2、在隔离槽内填充绝缘介质层与隔离介质层，形成垂直引线；S3、在感应电极结构层晶圆制备感应电极中心锚点及硅支撑柱；S4、将步骤S2与步骤S3得到的晶圆相键合；S5、在可动敏感结构层晶圆制备可动结构中心锚点；S6、将步骤S5与步骤S4得到的晶圆相键合，再光刻与刻蚀形成可动敏感结构以及感应电极；S7、制备盖帽；S8、将步骤S7与步骤S4得到的晶圆相键合；S9、制备接触孔；S10、在接触孔处制备用于引线键合的PAD点；本方法得到的MEMS器件能够降低外界干扰对器件性能的影响，且加工工艺简单。