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公开(公告)号：CN110683507B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201910793426.X
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种抗干扰MEMS器件，包括依次硅硅键合的衬底层、感应电极层、可动敏感结构层与盖帽层，感应电极层包含感应电极中心锚点与两侧的感应电极；衬底层中心与两侧分别设有第一垂直引线与第二垂直引线；所述感应电极中心锚点与第一垂直引线相连；所述感应电极底部设有硅支撑柱，硅支撑柱顶端与感应电极相连、底端与第二垂直引线对应相连，使感应电极与衬底层之间形成间隙；该感应电极结构几乎完全切断了外界干扰通过衬底到达感应电极结构的传递路径，使得外界干扰对感应电极结构的影响大幅下降，从而保证了传感器存在外界干扰的情况下左右两边电容的对称性，提高了传感器抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN110530352B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201910793419.X
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01C19/5691
Abstract: 本发明公开一种球面电极微半球谐振陀螺仪，包括谐振器与盖帽，谐振器设有半球谐振子与球面电极，球面电极之间为电极刻蚀槽；所述谐振器与盖帽分别采用P型硅与N型硅，盖帽底部边缘由上至下依次层叠有第一P型掺杂扩散区、N型掺杂扩散区与第二P型掺杂扩散区，形成P‑N‑P‑N结构层；P‑N‑P‑N结构层两侧分别刻蚀有竖直的防反溅槽，形成一组PN结；盖帽与谐振器硅硅键合，且防反溅槽与谐振器的电极刻蚀槽一一对应；制备时先制备谐振器，再制备带P‑N‑P‑N结构层的盖帽，将盖帽与谐振器硅硅键合，最后腐蚀牺牲层释放谐振子，即完成制备；利用硅硅键合工艺，确保键合后的芯片在VHF释放后不被腐蚀；通过在盖帽上制作PN结，利用反向PN结实现球面电极之间的绝缘。
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公开(公告)号：CN110683507A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910793426.X
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种抗干扰MEMS器件，包括依次硅硅键合的衬底层、感应电极层、可动敏感结构层与盖帽层，感应电极层包含感应电极中心锚点与两侧的感应电极；衬底层中心与两侧分别设有第一垂直引线与第二垂直引线；所述感应电极中心锚点与第一垂直引线相连；所述感应电极底部设有硅支撑柱，硅支撑柱顶端与感应电极相连、底端与第二垂直引线对应相连，使感应电极与衬底层之间形成间隙；该感应电极结构几乎完全切断了外界干扰通过衬底到达感应电极结构的传递路径，使得外界干扰对感应电极结构的影响大幅下降，从而保证了传感器存在外界干扰的情况下左右两边电容的对称性，提高了传感器抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN110668391A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910793511.6
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种具有应力释放功能的双端固支板式MEMS结构，包括相互键合的衬底层与可动结构层，衬底层顶部中心设有空腔，衬底层顶部设有环形隔离槽，环形隔离槽位于空腔外周，环形隔离槽与空腔之间形成环形固定锚点；可动结构层包含可动结构外框，可动结构外框内设有双端固支板结构，可动结构外框与双端固支板结构之间形成环形应力释放槽，环形应力释放槽与环形隔离槽相对应；环形固定锚点对双端固支板结构形成支撑；双端固支板结构的四角与可动结构外框的四个内角之间分别对应设有应力释放连接梁；本发明在保证传感器谐振频率不降低的情况下极大地减小了传感器对热应力的敏感度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106449740A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610715458.4
申请日：2016-08-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L29/732 , H01L29/06 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/732 , H01L29/0684 , H01L29/66234 , H01L29/66272
Abstract: 本发明公开一种自由集电极纵向PNP管，包括P型衬底，P型衬底中心设有N-阱，N-阱外侧的P型衬底上设有外P+埋层，N-阱中心设有内P+埋层，P型衬底上方覆盖有N-外延层，N-外延层由外向内嵌有外P+隔离区、N+隔离区与内P+隔离区，外P+隔离区、N+隔离区与内P+隔离区间隔设置，外P+隔离区的底部与外P+埋层的顶部相接，N+隔离区的底部与N-阱的顶部相接；内P+隔离区的底部与内P+埋层的顶部相接；N-外延层中心还设有N-基区，N-基区上设有N+基区，N-基区中心设有P+发射区；发射极与N-阱通过深磷短接，接器件工作电压，使N-阱与P型衬底、内P+埋层形成的PN结构处于反偏状态，实现器件纵向集电自由，克服了传统纵向PNP管集电极必须固定在最低电位的缺点。
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公开(公告)号：CN110668391B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910793511.6
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种具有应力释放功能的双端固支板式MEMS结构，包括相互键合的衬底层与可动结构层，衬底层顶部中心设有空腔，衬底层顶部设有环形隔离槽，环形隔离槽位于空腔外周，环形隔离槽与空腔之间形成环形固定锚点；可动结构层包含可动结构外框，可动结构外框内设有双端固支板结构，可动结构外框与双端固支板结构之间形成环形应力释放槽，环形应力释放槽与环形隔离槽相对应；环形固定锚点对双端固支板结构形成支撑；双端固支板结构的四角与可动结构外框的四个内角之间分别对应设有应力释放连接梁；本发明在保证传感器谐振频率不降低的情况下极大地减小了传感器对热应力的敏感度。
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公开(公告)号：CN110530352A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910793419.X
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01C19/5691
Abstract: 本发明公开一种球面电极微半球谐振陀螺仪，包括谐振器与盖帽，谐振器设有半球谐振子与球面电极，球面电极之间为电极刻蚀槽；所述谐振器与盖帽分别采用P型硅与N型硅，盖帽底部边缘由上至下依次层叠有第一P型掺杂扩散区、N型掺杂扩散区与第二P型掺杂扩散区，形成P-N-P-N结构层；P-N-P-N结构层两侧分别刻蚀有竖直的防反溅槽，形成一组PN结；盖帽与谐振器硅硅键合，且防反溅槽与谐振器的电极刻蚀槽一一对应；制备时先制备谐振器，再制备带P-N-P-N结构层的盖帽，将盖帽与谐振器硅硅键合，最后腐蚀牺牲层释放谐振子，即完成制备；利用硅硅键合工艺，确保键合后的芯片在VHF释放后不被腐蚀；通过在盖帽上制作PN结，利用反向PN结实现球面电极之间的绝缘。
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公开(公告)号：CN105186481A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510664537.2
申请日：2015-10-14
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明公开一种用于微波固态控制电路电压控制端的静电泄放电路，包括ESD瞬态电压抑制器、第一二极管、第二二极管与电阻；第一二极管的负极作为所述静电泄放电路的输入端；所述ESD瞬态电压抑制器的负极与第二二极管的负极相连，ESD瞬态电压抑制器的正极与第一二极管的正极相连后接地；第二二极管的正极分别连接第一二极管的负极与电阻的一端，电阻的另一端作为所述静电泄放电路的输出端；所述静电泄放电路的输出端连接微波固态控制电路电压控制端；本静电泄放电路能迅速把静电钳置在-0.8V～7.8V之间，从而对微波固态控制电路电压控制端起到保护的作用，另外本泄放电路在非工作状态下，表现为小电容，并联在控制端与地端，避免TTL输入信号的完整性受到影响。
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公开(公告)号：CN103531510A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310505350.9
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/68 , H01L23/544 , G03F9/00
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/682
Abstract: 本发明涉及一种半导体电路P+外延图形的转移对准光刻方法，包括以下步骤：(1)在双面光刻机对硅片正面用Ⅰ号掩膜版光刻电路图形及对准标记a；(2)将正面光刻的图形中进行砷注入，形成N＋图形及对准标记a；(3)用Ⅱ号掩膜版在硅片1的背面光刻对准标记b；（4）在硅片正面生长P-外延层；（5）将硅片1背面的对准标记b与Ⅲ号掩膜版对准标记对准，用Ⅲ号掩膜版在P-外延层上光刻电路图形。本发明的优点在于：通过将硅片正面对准符号转移到背面的技术，以背面对准符号作为前步图形套刻的参考点，解决P+埋层外延图形漂移的对准问题，套刻精度能达到2.5µm。
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