-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110530352B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201910793419.X
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01C19/5691
Abstract: 本发明公开一种球面电极微半球谐振陀螺仪，包括谐振器与盖帽，谐振器设有半球谐振子与球面电极，球面电极之间为电极刻蚀槽；所述谐振器与盖帽分别采用P型硅与N型硅，盖帽底部边缘由上至下依次层叠有第一P型掺杂扩散区、N型掺杂扩散区与第二P型掺杂扩散区，形成P‑N‑P‑N结构层；P‑N‑P‑N结构层两侧分别刻蚀有竖直的防反溅槽，形成一组PN结；盖帽与谐振器硅硅键合，且防反溅槽与谐振器的电极刻蚀槽一一对应；制备时先制备谐振器，再制备带P‑N‑P‑N结构层的盖帽，将盖帽与谐振器硅硅键合，最后腐蚀牺牲层释放谐振子，即完成制备；利用硅硅键合工艺，确保键合后的芯片在VHF释放后不被腐蚀；通过在盖帽上制作PN结，利用反向PN结实现球面电极之间的绝缘。
-
公开(公告)号：CN112265956B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202011024266.1
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种不同真空度封装的MEMS圆片级真空封装方法，包括以下步骤：MEMS衬底晶圆制作；将SOI顶层硅面与衬底晶圆顶面键合；去除SOI晶圆的底层硅和埋氧层，通过深硅刻蚀工艺将SOI晶圆的顶层硅释放形成两个可动结构，得到包含第一MEMS结构与第二MEMS结构的MEMS器件结构晶圆；制备第一盖帽；第一次真空封装；在第一盖帽刻蚀透气孔；第二次真空封装；该方法能够在同一圆片上制作不同MEMS器件时实现不同真空度的封装需求，容易实施，且过程可控。
-
公开(公告)号：CN115611231A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211341952.0
申请日：2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种SOI硅片与玻璃的晶圆级键合方法，其特征在于：它包括以下步骤：1）取SOI硅片和玻璃片；2）对SOI硅片与玻璃进行清洗；3）阿金SOI硅片和玻璃片贴合在一起，并将SOI硅片的部分键合层裸露在玻璃片之外；4）将玻璃片与电源负极连通，将键合层与电源正极连通，将器件层与电源零位连通。本发明操作简单、步骤简要，无需考虑SOI硅片绝缘埋层厚度和SOI硅片器件层离子分布不受阳极键合影响，键合电压不会击穿SOI硅片的绝缘埋层。
-
公开(公告)号：CN112265956A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011024266.1
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种不同真空度封装的MEMS圆片级真空封装方法，包括以下步骤：MEMS衬底晶圆制作；将SOI顶层硅面与衬底晶圆顶面键合；去除SOI晶圆的底层硅和埋氧层，通过深硅刻蚀工艺将SOI晶圆的顶层硅释放形成两个可动结构，得到包含第一MEMS结构与第二MEMS结构的MEMS器件结构晶圆；制备第一盖帽；第一次真空封装；在第一盖帽刻蚀透气孔；第二次真空封装；该方法能够在同一圆片上制作不同MEMS器件时实现不同真空度的封装需求，容易实施，且过程可控。
-
公开(公告)号：CN110530352A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910793419.X
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01C19/5691
Abstract: 本发明公开一种球面电极微半球谐振陀螺仪，包括谐振器与盖帽，谐振器设有半球谐振子与球面电极，球面电极之间为电极刻蚀槽；所述谐振器与盖帽分别采用P型硅与N型硅，盖帽底部边缘由上至下依次层叠有第一P型掺杂扩散区、N型掺杂扩散区与第二P型掺杂扩散区，形成P-N-P-N结构层；P-N-P-N结构层两侧分别刻蚀有竖直的防反溅槽，形成一组PN结；盖帽与谐振器硅硅键合，且防反溅槽与谐振器的电极刻蚀槽一一对应；制备时先制备谐振器，再制备带P-N-P-N结构层的盖帽，将盖帽与谐振器硅硅键合，最后腐蚀牺牲层释放谐振子，即完成制备；利用硅硅键合工艺，确保键合后的芯片在VHF释放后不被腐蚀；通过在盖帽上制作PN结，利用反向PN结实现球面电极之间的绝缘。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.023 seconds)
