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公开(公告)号：CN115611231A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211341952.0
申请日：2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种SOI硅片与玻璃的晶圆级键合方法，其特征在于：它包括以下步骤：1）取SOI硅片和玻璃片；2）对SOI硅片与玻璃进行清洗；3）阿金SOI硅片和玻璃片贴合在一起，并将SOI硅片的部分键合层裸露在玻璃片之外；4）将玻璃片与电源负极连通，将键合层与电源正极连通，将器件层与电源零位连通。本发明操作简单、步骤简要，无需考虑SOI硅片绝缘埋层厚度和SOI硅片器件层离子分布不受阳极键合影响，键合电压不会击穿SOI硅片的绝缘埋层。
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