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公开(公告)号：CN113790835B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111110194.7
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明提供一种岛膜结构的硅压力传感器芯片制造方法，其特征在于：它包括以下步骤1)选取第一硅片(1)；2）背腔和硅岛制作；3）衬底片制作；4）晶圆级键合；5）底层硅和埋氧层去除；6)压阻制作；7）接触孔制作；8）引线制作。本发明具有操作方便、步骤清晰，可以使得硅岛膜结构一次成型，硅岛的高度可以精确控制，并且兼容湿法腐蚀工艺。
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公开(公告)号：CN117185245A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311105898.4
申请日：2023-08-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS微加热器芯片，其特征在于：它包括在硅片上设有悬空区域，在悬空区域上从下向上依次设有金属加热电极、绝缘层和检测电极，在悬空区域下方的硅片上设有槽体，在悬空区域外侧设有均布若该组间隔分布的通孔，在通孔下端与槽体连通，在通孔外侧的绝缘层上还设有第一焊盘，在另一侧的绝缘层上还设有开孔，在开孔内设有第二焊盘。本发明公开的悬梁式支撑结构刚度大，热量损耗小，可靠性高，与现有成熟MEMS工艺相兼容，适合批量化制造。
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公开(公告)号：CN116062681A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211515516.0
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS悬浮敏感结构的制作方法,其特征在于：它包括以下步骤：（a）选取双抛硅片作为衬底晶圆，在其上制备活动空腔和支撑锚点；（b）在衬底晶圆上键合的一块SOI晶圆；（c）生长二氧化硅层；（d）二氧化硅刻蚀掩膜层的制作；（e）刻蚀窗口的制备；（f）第一次深硅刻蚀；（g）去除二氧化硅刻蚀掩膜层；（h）第二次深硅刻蚀；（i）去除光刻胶和氧化层刻蚀掩膜。本发明步骤简单，实施方便，有效的改善或解决了刻蚀释放中的散热问题，保证了深硅刻蚀释放工艺中的完整性。
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公开(公告)号：CN118723918A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410885735.0
申请日：2024-07-03
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种晶圆级SOI硅片阳极键合方法，包括以下步骤：S1、取SOI硅片，采用湿法腐蚀或干法刻蚀将SOI硅片的顶层硅与衬底硅之间裸漏的埋层氧化层去除干净，保留中间顶层硅部分；S2、采用溅射或蒸发工艺，在顶层硅面及裸漏的衬底硅面制作一层金属；S3、采用光刻与腐蚀或刻蚀工艺，去除顶层硅部分金属，仅保留顶层硅与衬底硅之间的金属连接，形成顶层硅与衬底硅的导电通道；S4、将SOI硅片与玻璃片对准，进行阳极键合。本发明的有益效果是，在SOI硅片的顶层硅与衬底硅之间形成导电通道，再与玻璃片进行精确的对准并键合，形成适用绝大多数应用场景的一种晶圆级SOI硅片阳极键合方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115611231A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211341952.0
申请日：2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种SOI硅片与玻璃的晶圆级键合方法，其特征在于：它包括以下步骤：1）取SOI硅片和玻璃片；2）对SOI硅片与玻璃进行清洗；3）阿金SOI硅片和玻璃片贴合在一起，并将SOI硅片的部分键合层裸露在玻璃片之外；4）将玻璃片与电源负极连通，将键合层与电源正极连通，将器件层与电源零位连通。本发明操作简单、步骤简要，无需考虑SOI硅片绝缘埋层厚度和SOI硅片器件层离子分布不受阳极键合影响，键合电压不会击穿SOI硅片的绝缘埋层。
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公开(公告)号：CN112271133A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011026789.X
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/027 , B81C1/00
Abstract: 本发明公开一种基于三层胶的金属剥离方法，包括以下步骤：选择基片并清洗；在基片顶面旋涂第一光刻胶层；根据金属版图图形，在第一光刻胶层上进行图形曝光、显影；旋涂LOR胶层；在LOR胶层顶面旋涂第二光刻胶层；根据金属版图图形，在第二光刻胶层上进行图形曝光、显影；同时显影去除相对应的LOR胶层区域，使基片顶面的图形区域暴露；第二光刻胶层的图形内切小于第一光刻胶层的图形内切；溅射金属Pt，在基片顶面的图形区域得到金属图形；采用超声浸泡和剥离工艺，对剩余的第一光刻胶层、LOR胶层与第二光刻胶层同时剥离；该方法能够用于高精度线宽控制的金属图形化，提高金属线宽的均匀性，提高良率，且工艺简单。
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公开(公告)号：CN118702055A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410812767.8
申请日：2024-06-22
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种集成式MEMS真空度芯片制备方法，属于微机械电子领域。该方法通过将不同结构的晶圆使用MEMS的制备工艺将压阻结构、皮拉尼结构和硅谐振片敏感结构集成在一起，利用微尺度效应，实现不同敏感结构在不同真空度气压段工作测量，即可实现低、中、高真空段的多领域真空度测量，提升了真空度传感器的量程与精度，且该集成结构采用MEMS体硅工艺制作方法，可以实现批量一体化制造。
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公开(公告)号：CN117434095A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311660592.5
申请日：2023-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01N23/2204 , G01N23/2251
Abstract: 本发明提供了一种MEMS晶圆微结构取样装置，包括框架、水平定距位移台、三轴位移台、晶圆托盘、晶圆、显微镜筒、取样杆和扫描电镜样品台；其中，框架包括底座和横梁；水平定距位移台安装在底座上，可往返移动于显微镜筒与取样杆的正下方位置之间；三轴位移台安装在水平定距位移台上部，用于实现三个方向轴上的平移；晶圆托盘安装在三轴位移台上部，用于容置晶圆；显微镜筒安装于横梁，用于观察晶圆微结构；取样杆安装于横梁，且与显微镜筒的安装位置位于同一水平线；扫描电镜样品台安装于取样杆底部，底端设有导电胶带。本发明还提供了一种MEMS晶圆微结构取样方法。本发明取样简单、定位准确，同时符合规范，不易引入沾污。
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公开(公告)号：CN113790835A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111110194.7
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明提供一种岛膜结构的硅压力传感器芯片制造方法，其特征在于：它包括以下步骤1)选取第一硅片(1)；2）背腔和硅岛制作；3）衬底片制作；4）晶圆级键合；5）底层硅和埋氧层去除；6)压阻制作；7）接触孔制作；8）引线制作。本发明具有操作方便、步骤清晰，可以使得硅岛膜结构一次成型，硅岛的高度可以精确控制，并且兼容湿法腐蚀工艺。
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