Patent search ap:("华东光电集成器件研究所") AND inv:"张宏坤" Page 1

1.

发明公开
一种MEMS微加热器芯片及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN117185245A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311105898.4

申请日：2023-08-30

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 王鹏 , 白建新 , 赵斌 , 段元明 , 张宏坤

IPC: B81B3/00 , G02B26/08 , B81B7/02 , B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种MEMS微加热器芯片，其特征在于：它包括在硅片上设有悬空区域，在悬空区域上从下向上依次设有金属加热电极、绝缘层和检测电极，在悬空区域下方的硅片上设有槽体，在悬空区域外侧设有均布若该组间隔分布的通孔，在通孔下端与槽体连通，在通孔外侧的绝缘层上还设有第一焊盘，在另一侧的绝缘层上还设有开孔，在开孔内设有第二焊盘。本发明公开的悬梁式支撑结构刚度大，热量损耗小，可靠性高，与现有成熟MEMS工艺相兼容，适合批量化制造。

Patent Agency Ranking