公开(公告)号：CN113816335A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202111110195.1

申请日：2021-09-23

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 赵斌 ,  张帅 ,  张胜兵 ,  宋东方 ,  白建新

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种硅基晶圆双层光刻胶的金属剥离制备方法，它包括以下步骤a）晶圆清洗；b）通过光刻在晶圆表面制备需要的图形；c）在晶圆上形成金属膜；d）通过剥离得到图形化的金属膜层。本发明适合用于金属溅射工艺中，更适合用在金属蒸镀工艺，能有效保证金属薄膜剥离效果，确保线宽均匀性等优点。

公开(公告)号：CN118723918A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410885735.0

申请日：2024-07-03

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 赵斌 ,  白建新 ,  王鹏 ,  王永 ,  宋吉递

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明涉及一种晶圆级SOI硅片阳极键合方法，包括以下步骤：S1、取SOI硅片，采用湿法腐蚀或干法刻蚀将SOI硅片的顶层硅与衬底硅之间裸漏的埋层氧化层去除干净，保留中间顶层硅部分；S2、采用溅射或蒸发工艺，在顶层硅面及裸漏的衬底硅面制作一层金属；S3、采用光刻与腐蚀或刻蚀工艺，去除顶层硅部分金属，仅保留顶层硅与衬底硅之间的金属连接，形成顶层硅与衬底硅的导电通道；S4、将SOI硅片与玻璃片对准，进行阳极键合。本发明的有益效果是，在SOI硅片的顶层硅与衬底硅之间形成导电通道，再与玻璃片进行精确的对准并键合，形成适用绝大多数应用场景的一种晶圆级SOI硅片阳极键合方法。

公开(公告)号：CN117185245A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311105898.4

申请日：2023-08-30

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 王鹏 ,  白建新 ,  赵斌 ,  段元明 ,  张宏坤

IPC: B81B3/00 ,  G02B26/08 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种MEMS微加热器芯片，其特征在于：它包括在硅片上设有悬空区域，在悬空区域上从下向上依次设有金属加热电极、绝缘层和检测电极，在悬空区域下方的硅片上设有槽体，在悬空区域外侧设有均布若该组间隔分布的通孔，在通孔下端与槽体连通，在通孔外侧的绝缘层上还设有第一焊盘，在另一侧的绝缘层上还设有开孔，在开孔内设有第二焊盘。本发明公开的悬梁式支撑结构刚度大，热量损耗小，可靠性高，与现有成熟MEMS工艺相兼容，适合批量化制造。

公开(公告)号：CN115893302A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211341951.6

申请日：2022-10-31

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 王鹏 ,  王文婧 ,  赵娟 ,  赵斌 ,  刘武博

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  B81B7/00

Abstract: 本发明提供一种热隔离MEMS芯片制备方法及其结构，它包括取硅晶圆，在硅晶圆上设置第一、二隔热介质膜，在硅晶圆背面通过多步骤制备出连通的槽体和内腔，从而形成上端与第二隔热介质膜连通的变径孔，从而完成小型化MEMS隔热芯片结构的制备。提供一种开口小、内腔大的小型化MEMS热隔离芯片结构及制备方法，该结构在保持芯片面积较小的情况下，降低对加工设备能力的要求，工艺简单，适用于MEMS隔热型芯片的最终设计制造。

公开(公告)号：CN118702055A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410812767.8

申请日：2024-06-22

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 白建新 ,  赵斌 ,  王鹏 ,  包星晨 ,  王永 ,  赵文静

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01L21/12 ,  G01L21/00

Abstract: 本发明涉及一种集成式MEMS真空度芯片制备方法，属于微机械电子领域。该方法通过将不同结构的晶圆使用MEMS的制备工艺将压阻结构、皮拉尼结构和硅谐振片敏感结构集成在一起，利用微尺度效应，实现不同敏感结构在不同真空度气压段工作测量，即可实现低、中、高真空段的多领域真空度测量，提升了真空度传感器的量程与精度，且该集成结构采用MEMS体硅工艺制作方法，可以实现批量一体化制造。

公开(公告)号：CN117740209A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311561066.3

申请日：2023-11-22

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 包星晨 ,  王鹏 ,  曹卫达 ,  赵斌

IPC: G01L1/20

Abstract: 本发明涉及一种三维异构集成的压力传感器，第一硅衬底（7）制有压敏电阻（3）阵列，第一硅衬底上制有的金属引线层（17）与压敏电阻和第一电极（1）连接，第一硅衬底制有阵列空腔（5），形成敏感膜片（4）；空腔四角设有的第一垂直引线柱（8）的上端与第一电极（1）相连、下端与金属支撑层（9）相连；第二硅衬底（12）中制有一组硅通孔（19），硅通孔四角分别设有的第二垂直引线柱（14）与金属电极（10）层连接，第二垂直引线柱与第二金属引线层（13）连接，第二金属引线层（13）与处理电路层（15）连接。本发明的有益效果是，阵列式压力传感器和处理电路通过多次垂直引线互连堆叠在一起，缩小了器件体积，提高封装密度，同时无金丝引线，提高传感器抗压力冲击能力。

公开(公告)号：CN115709968A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202211342032.0

申请日：2022-10-31

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 包星晨 ,  王鹏 ,  赵斌 ,  任俊辉 ,  陈健

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01L1/18 ,  G01L9/06

Abstract: 本发明提供一种MEMS敏感结构及其制备方法，它包括在硅衬底（8）上从上到下依次包括引线层（5）、绝缘层（3）、第一氧化层（1）、压敏电阻（2）、敏感膜片（9）、第二腔体（7）、第一腔体（6）和第二氧化层（11）。本发明提供的MEMS敏感结构具有开口小的优点，有效的保持了芯片小面积，降低对加工设备能力的要求，工艺简单，适用于MEMS敏感结构芯片制造。