公开(公告)号：CN114300356B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202111479946.7

申请日：2021-12-07

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 张帅 ,  刘阳 ,  刘武博 ,  孙瑞瑞 ,  赵恩

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种用于雪崩二极管的微结构金属引脚的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：1）基片选择，2）基片清洗，3）蒸发，4）光刻，5）第一次湿法腐蚀，6）电镀，7）去胶，8）第二次湿法腐蚀，9）金属引脚的释放。本发明操作简单，使用方便，实施成本较低提高了引脚制备工艺后的线条控制精度，提高微结构制备的合格率及器件的产能，提高了企业经济效益。

公开(公告)号：CN115893302A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211341951.6

申请日：2022-10-31

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 王鹏 ,  王文婧 ,  赵娟 ,  赵斌 ,  刘武博

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  B81B7/00

Abstract: 本发明提供一种热隔离MEMS芯片制备方法及其结构，它包括取硅晶圆，在硅晶圆上设置第一、二隔热介质膜，在硅晶圆背面通过多步骤制备出连通的槽体和内腔，从而形成上端与第二隔热介质膜连通的变径孔，从而完成小型化MEMS隔热芯片结构的制备。提供一种开口小、内腔大的小型化MEMS热隔离芯片结构及制备方法，该结构在保持芯片面积较小的情况下，降低对加工设备能力的要求，工艺简单，适用于MEMS隔热型芯片的最终设计制造。

公开(公告)号：CN115692215A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211341958.8

申请日：2022-10-31

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 张帅 ,  周魁 ,  孙涛 ,  王炼 ,  刘武博

IPC: H01L21/48

Abstract: 本发明提供一种铜箔片金属封盖结构的制备方法，它包括以下步骤：S1、基片选择，S2、清洗，S3、光刻，S4、电镀，S5、去胶，S6、二次电镀，S7、湿法腐蚀，S8、利用凿离机，凿离金属封盖基片，形成独立微结构器件。本发明解决Cu箔片金属封盖超小微结构工艺的稳定性问题，具有提高了金属封盖制备关键工艺参数的控制精度和微结构制备的合格率及器件的产能，且实施成本较低等优点。

公开(公告)号：CN114300356A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111479946.7

申请日：2021-12-07

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 张帅 ,  刘阳 ,  刘武博 ,  孙瑞瑞 ,  赵恩

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种用于雪崩二极管的微结构金属引脚的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：1）基片选择，2）基片清洗，3）蒸发，4）光刻，5）第一次湿法腐蚀，6）电镀，7）去胶，8）第二次湿法腐蚀，9）金属引脚的释放。本发明操作简单，使用方便，实施成本较低提高了引脚制备工艺后的线条控制精度，提高微结构制备的合格率及器件的产能，提高了企业经济效益。