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公开(公告)号：CN115692215A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211341958.8
申请日：2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种铜箔片金属封盖结构的制备方法，它包括以下步骤：S1、基片选择，S2、清洗，S3、光刻，S4、电镀，S5、去胶，S6、二次电镀，S7、湿法腐蚀，S8、利用凿离机，凿离金属封盖基片，形成独立微结构器件。本发明解决Cu箔片金属封盖超小微结构工艺的稳定性问题，具有提高了金属封盖制备关键工艺参数的控制精度和微结构制备的合格率及器件的产能，且实施成本较低等优点。
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