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公开(公告)号：CN110702332A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910793433.X
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种评价MEMS真空封装性能的方法，包括以下步骤：S1、在真空探针台中对未封装时的MEMS产品测量在目标封装真空度P1下的Q值，记为Q11；S2、计算MEMS产品在目标气体泄漏速率下放置10年后真空腔室的真空度P2，测量在真空度P2下的Q值，记为Q21；S3、将MEMS产品真空封装，测量MEMS产品的Q值，记为Q12；S4、对比Q11与Q12，若Q12小于80%的Q11，则MEMS真空封装未达到目标真空度；S5、将真空封装的MEMS产品进行氩气加压实验，然后测量MEMS产品的Q值，记为Q22；S6、对比Q21与Q22，若Q22小于80%的Q21，则真空封装气体泄漏速率不合格。
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公开(公告)号：CN112265956A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011024266.1
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种不同真空度封装的MEMS圆片级真空封装方法，包括以下步骤：MEMS衬底晶圆制作；将SOI顶层硅面与衬底晶圆顶面键合；去除SOI晶圆的底层硅和埋氧层，通过深硅刻蚀工艺将SOI晶圆的顶层硅释放形成两个可动结构，得到包含第一MEMS结构与第二MEMS结构的MEMS器件结构晶圆；制备第一盖帽；第一次真空封装；在第一盖帽刻蚀透气孔；第二次真空封装；该方法能够在同一圆片上制作不同MEMS器件时实现不同真空度的封装需求，容易实施，且过程可控。
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公开(公告)号：CN112265956B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202011024266.1
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种不同真空度封装的MEMS圆片级真空封装方法，包括以下步骤：MEMS衬底晶圆制作；将SOI顶层硅面与衬底晶圆顶面键合；去除SOI晶圆的底层硅和埋氧层，通过深硅刻蚀工艺将SOI晶圆的顶层硅释放形成两个可动结构，得到包含第一MEMS结构与第二MEMS结构的MEMS器件结构晶圆；制备第一盖帽；第一次真空封装；在第一盖帽刻蚀透气孔；第二次真空封装；该方法能够在同一圆片上制作不同MEMS器件时实现不同真空度的封装需求，容易实施，且过程可控。
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公开(公告)号：CN115692215A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211341958.8
申请日：2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种铜箔片金属封盖结构的制备方法，它包括以下步骤：S1、基片选择，S2、清洗，S3、光刻，S4、电镀，S5、去胶，S6、二次电镀，S7、湿法腐蚀，S8、利用凿离机，凿离金属封盖基片，形成独立微结构器件。本发明解决Cu箔片金属封盖超小微结构工艺的稳定性问题，具有提高了金属封盖制备关键工艺参数的控制精度和微结构制备的合格率及器件的产能，且实施成本较低等优点。
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公开(公告)号：CN110702332B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910793433.X
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种评价MEMS真空封装性能的方法，包括以下步骤：S1、在真空探针台中对未封装时的MEMS产品测量在目标封装真空度P1下的Q值，记为Q11；S2、计算MEMS产品在目标气体泄漏速率下放置10年后真空腔室的真空度P2，测量在真空度P2下的Q值，记为Q21；S3、将MEMS产品真空封装，测量MEMS产品的Q值，记为Q12；S4、对比Q11与Q12，若Q12小于80%的Q11，则MEMS真空封装未达到目标真空度；S5、将真空封装的MEMS产品进行氩气加压实验，然后测量MEMS产品的Q值，记为Q22；S6、对比Q21与Q22，若Q22小于80%的Q21，则真空封装气体泄漏速率不合格。
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