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公开(公告)号：CN114132888B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202111479241.5
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种异构集成的芯片级光谱调谐微系统，包括：固定滤光结构层，在SOI硅片顶层硅上制作驱动电极（13）、驱动检测电极（12）、下支撑柱（14）、信号输入端（18），在信号输入端上设有导电键合层（16）；可动滤光结构层光刻可动结构（22）、上支撑柱（23），将上支撑柱、下支撑柱键合连接，由上述固定滤光结构和可动滤光结构构成法布里珀罗干涉腔；盖帽层（30）设有垂直导电柱（31）、导电金属（35）和PAD点（33）；驱动电路芯片（40）联于PAD点（41）。本发明有益效果：将静电驱动电极与复合光学薄膜结构结合于一体，提高了光学占空比，增加了驱动力，提高了滤光系统运行精度及稳定性。
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公开(公告)号：CN114122243A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111479920.2
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种红外探测器芯片，其特征在于：它包括硅衬底（1），在硅衬底（1）上设有支撑层（2），在支撑层（2）上设有一组热电偶层，在热电偶层与支撑层（2）上覆盖有钝化层（6），在硅衬底（1）上还设有空腔（12），相邻的热电偶层之间通过引线（11）连通。本发明具有结构简单、制造方便，在保证芯片响应灵敏度的同时有效减小了芯片和红外吸收支撑薄膜的面积，使红外吸收支撑薄膜的刚度提高，从而提高芯片整体可靠性。
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公开(公告)号：CN110702332B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910793433.X
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种评价MEMS真空封装性能的方法，包括以下步骤：S1、在真空探针台中对未封装时的MEMS产品测量在目标封装真空度P1下的Q值，记为Q11；S2、计算MEMS产品在目标气体泄漏速率下放置10年后真空腔室的真空度P2，测量在真空度P2下的Q值，记为Q21；S3、将MEMS产品真空封装，测量MEMS产品的Q值，记为Q12；S4、对比Q11与Q12，若Q12小于80%的Q11，则MEMS真空封装未达到目标真空度；S5、将真空封装的MEMS产品进行氩气加压实验，然后测量MEMS产品的Q值，记为Q22；S6、对比Q21与Q22，若Q22小于80%的Q21，则真空封装气体泄漏速率不合格。
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公开(公告)号：CN118954421A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410976447.6
申请日：2024-07-20
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种TSV结构的制备方法，它包括以下步骤：在晶圆上制备出氧化硅薄膜，在氧化硅薄膜上键合有衬底晶圆，在晶圆上制备刻蚀盲孔，在氧化硅薄膜上表面和刻蚀盲孔内设置多晶硅，去除层氧化硅薄膜的上表面上的多晶硅层，而后去除衬底晶圆，即形成TSV结构。本发明步骤简便，操作方便通过晶圆键合实现TSV刻蚀的自停止，精准控制了TSV深度，保证了后续多晶硅填充的一致性和无孔隙，实现了全硅结构的微封装，真正实现了“晶圆级封装”，TSV技术也使得光MEMS器件、MEMS传感器以及微流器件等实现了先进的互联集成功能。
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公开(公告)号：CN110683509B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201910793476.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种抗干扰MEMS器件的制备方法，包括以下步骤：S1、在衬底层晶圆制备隔离槽；S2、在隔离槽内填充绝缘介质层与隔离介质层，形成垂直引线；S3、在感应电极结构层晶圆制备感应电极中心锚点及硅支撑柱；S4、将步骤S2与步骤S3得到的晶圆相键合；S5、在可动敏感结构层晶圆制备可动结构中心锚点；S6、将步骤S5与步骤S4得到的晶圆相键合，再光刻与刻蚀形成可动敏感结构以及感应电极；S7、制备盖帽；S8、将步骤S7与步骤S4得到的晶圆相键合；S9、制备接触孔；S10、在接触孔处制备用于引线键合的PAD点；本方法得到的MEMS器件能够降低外界干扰对器件性能的影响，且加工工艺简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112271135A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011026812.5
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/3213 , H01L29/66 , H01L29/864
Abstract: 本发明公开一种晶圆级Au金属膜层湿法腐蚀图形化的方法，包括以下步骤：S1、清洗硅片，去除硅片表面污垢；S2、在硅片表面磁控溅射Au金属膜层；S3、采用光刻工艺，在Au金属膜层表面制备IMPATT二极管管芯电极图形；S4、配置腐蚀溶液，腐蚀溶液由体积比1:1:1的Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液与K3Fe(CN)6溶液混合构成；Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液以及K3Fe(CN)6溶液的浓度均为10％；通过腐蚀溶液按照湿法腐蚀工艺对Au金属膜层进行图形化腐蚀；S5、采用有机溶剂去除光刻胶，得到IMPATT二极管管芯电极；该方法提高了晶圆级Au膜层图形化腐蚀工艺后的线条控制精度，且实施成本较低,减小环境污染。
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公开(公告)号：CN110690142A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910816121.6
申请日：2019-08-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种芯片减薄保护方法及其装置，它包括芯片减薄保护装置，在芯片减薄保护装置内放置腐蚀液，而后将需要减薄的芯片浸入腐蚀液中进行减薄。本发明具有芯片减薄步骤简单，操作方便、芯片减薄时对芯片保护效果好等优点。
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公开(公告)号：CN114242882B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111479933.X
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种红外探测器芯片的制备方法，它包括以下步骤：第一SOI硅片（1）和第二SOI硅片（3）键合，第二SOI硅片（3）的减薄，第一电阻条（4)、第二电阻条（5）和保护层（14）的制备，金属引线（13）和第二金属引线（12）的制备以及腔（11）的制备。本发明得到的红外探测器芯片，热电偶采用高塞贝克系数的双单晶硅复合结构，在保证芯片响应灵敏度的同时大幅度降低了芯片面积和红外吸收支撑层面积，提高了红外吸收支撑层的刚度，从而使芯片的整体可靠性提高。
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公开(公告)号：CN112271135B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202011026812.5
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/3213 , H01L29/66 , H01L29/864
Abstract: 本发明公开一种晶圆级Au金属膜层湿法腐蚀图形化的方法，包括以下步骤：S1、清洗硅片，去除硅片表面污垢；S2、在硅片表面磁控溅射Au金属膜层；S3、采用光刻工艺，在Au金属膜层表面制备IMPATT二极管管芯电极图形；S4、配置腐蚀溶液，腐蚀溶液由体积比1:1:1的Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液与K3Fe(CN)6溶液混合构成；Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液以及K3Fe(CN)6溶液的浓度均为10％；通过腐蚀溶液按照湿法腐蚀工艺对Au金属膜层进行图形化腐蚀；S5、采用有机溶剂去除光刻胶，得到IMPATT二极管管芯电极；该方法提高了晶圆级Au膜层图形化腐蚀工艺后的线条控制精度，且实施成本较低,减小环境污染。
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公开(公告)号：CN114132891B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202111479847.9
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种微光机电的制备方法，包括以下步骤：在第一SOI硅片的顶层硅上形成图形化的高反膜和顶层硅电极以及检测电极；图形化的第二SOI硅片顶层硅与高反射薄膜共同形成可动滤光结构，图形化的金属支撑柱下方与顶层硅连接；将S3制备好的可动滤光结构层晶圆对准键合于S2制备好的固定滤光结构层晶圆上方，可动滤光结构中的金属支撑柱与固定滤光结构中的金属支撑柱键合形成支撑柱；取两面抛光后的标准晶圆作为盖帽层，在盖帽正面制备有金属Pad点与垂直导电引线连接；本发明的有益效果是：该制备方法兼容光学与MEMS制备工艺，可批量制造，采用该方法制备得到的微光机电系统具有集成度高、光学占空比大、静电驱动力大、易与探测器集成等优点。
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