公开(公告)号：CN114242882A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111479933.X

申请日：2021-12-07

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 包星晨 ,  王鹏 ,  王文婧 ,  张伟 ,  刘娜娜

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/32 ,  G01J5/12

Abstract: 本发明提供一种红外探测器芯片的制备方法，它包括以下步骤：第一SOI硅片（1）和第二SOI硅片（3）键合，第二SOI硅片（3）的减薄，第一电阻条（4)、第二电阻条（5）和保护层（14）的制备，金属引线（13）和第二金属引线（12）的制备以及腔（11）的制备。本发明得到的红外探测器芯片，热电偶采用高塞贝克系数的双单晶硅复合结构，在保证芯片响应灵敏度的同时大幅度降低了芯片面积和红外吸收支撑层面积，提高了红外吸收支撑层的刚度，从而使芯片的整体可靠性提高。

公开(公告)号：CN114242882B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202111479933.X

申请日：2021-12-07

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 包星晨 ,  王鹏 ,  王文婧 ,  张伟 ,  刘娜娜

IPC: H10N10/01 ,  H10N10/17 ,  G01J5/12

Abstract: 本发明提供一种红外探测器芯片的制备方法，它包括以下步骤：第一SOI硅片（1）和第二SOI硅片（3）键合，第二SOI硅片（3）的减薄，第一电阻条（4)、第二电阻条（5）和保护层（14）的制备，金属引线（13）和第二金属引线（12）的制备以及腔（11）的制备。本发明得到的红外探测器芯片，热电偶采用高塞贝克系数的双单晶硅复合结构，在保证芯片响应灵敏度的同时大幅度降低了芯片面积和红外吸收支撑层面积，提高了红外吸收支撑层的刚度，从而使芯片的整体可靠性提高。