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公开(公告)号：CN118954421A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410976447.6
申请日：2024-07-20
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种TSV结构的制备方法，它包括以下步骤：在晶圆上制备出氧化硅薄膜，在氧化硅薄膜上键合有衬底晶圆，在晶圆上制备刻蚀盲孔，在氧化硅薄膜上表面和刻蚀盲孔内设置多晶硅，去除层氧化硅薄膜的上表面上的多晶硅层，而后去除衬底晶圆，即形成TSV结构。本发明步骤简便，操作方便通过晶圆键合实现TSV刻蚀的自停止，精准控制了TSV深度，保证了后续多晶硅填充的一致性和无孔隙，实现了全硅结构的微封装，真正实现了“晶圆级封装”，TSV技术也使得光MEMS器件、MEMS传感器以及微流器件等实现了先进的互联集成功能。
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