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公开(公告)号：CN116644625A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310386061.5
申请日：2023-04-12
Applicant: 安徽大学 , 华东光电集成器件研究所 , 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: G06F30/23 , G06F17/11 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种高效的基于多物理场耦合的微镜芯片分析方法，属于微机电系统领域，包括：建立梳齿偏转角度和力矩的映射关系，先对梳齿进行近似周期边界条件处理计算得到梳齿偏转角度和力矩的映射关系，再根据该映射关系对单轴可调微镜静电驱动器进行验证。最终使用有限元方法对复杂的双轴静电驱动器进行仿真，从而更快地对双轴静电驱动器进行热黏性声学和力学耦合的频域分析，该方案可对双轴可调微镜静电驱动器进行更高效的优化设计。
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公开(公告)号：CN112265956B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202011024266.1
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种不同真空度封装的MEMS圆片级真空封装方法，包括以下步骤：MEMS衬底晶圆制作；将SOI顶层硅面与衬底晶圆顶面键合；去除SOI晶圆的底层硅和埋氧层，通过深硅刻蚀工艺将SOI晶圆的顶层硅释放形成两个可动结构，得到包含第一MEMS结构与第二MEMS结构的MEMS器件结构晶圆；制备第一盖帽；第一次真空封装；在第一盖帽刻蚀透气孔；第二次真空封装；该方法能够在同一圆片上制作不同MEMS器件时实现不同真空度的封装需求，容易实施，且过程可控。
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公开(公告)号：CN115676772A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211341061.5
申请日：2022-10-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种去除MEMS芯片静电荷累积的方法，包括：a.在密闭腔室内抽真空度达到1Pa‑1.2Pa，温度40℃‑50℃；使MEMS器件的静电荷向介质层表面积聚；b.通入温度为40℃‑50℃的氮气和气态酒精的混合气体，使之与介质层表面充分接触，去除晶圆介质层表面吸附的水蒸气颗粒；c.通入温度为40℃‑50℃的氮气、气态酒精和气态氟化氢的混合气体，将MEMS器件结构中介质层剥除一定的厚度；然后通入氮气将腔室内的残余气态氟化氢气体完全排除干净；d.MEMS器件与硅盖板之间进行真空密封封装。本发明利用气体清洗的方式去除MEMS器件中积累的电荷，避免了MEMS器件电极之间发生漏电，提高了MEMS器件电极之间的绝缘电阻，提升MEMS器件的成品率和长期可靠性。
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公开(公告)号：CN117383507A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311556109.9
申请日：2023-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种在背片上增加通气通道的体硅加工方法，其特征在于：（1）在托片上制备通气通道的图形化光刻胶掩膜；（2）在托片上刻蚀出通气通道；（3）在托片上匀光刻胶；（4）将硅片和托片使用光刻胶粘合；（5）使用感应耦合等离子体干法刻蚀刻穿硅片，得到体硅微机构；（6）将托片和硅片分开，释放体硅微结构。本发明优点是：工艺简单，不存在工艺难点，适用小批量生产，不会对刻蚀设备产生不良影响；增加通气通道进行光刻胶黏连更能保证成品率，不会因为糊胶、裂胶等工艺缺陷损失晶圆。
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公开(公告)号：CN116062681A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211515516.0
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS悬浮敏感结构的制作方法,其特征在于：它包括以下步骤：（a）选取双抛硅片作为衬底晶圆，在其上制备活动空腔和支撑锚点；（b）在衬底晶圆上键合的一块SOI晶圆；（c）生长二氧化硅层；（d）二氧化硅刻蚀掩膜层的制作；（e）刻蚀窗口的制备；（f）第一次深硅刻蚀；（g）去除二氧化硅刻蚀掩膜层；（h）第二次深硅刻蚀；（i）去除光刻胶和氧化层刻蚀掩膜。本发明步骤简单，实施方便，有效的改善或解决了刻蚀释放中的散热问题，保证了深硅刻蚀释放工艺中的完整性。
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公开(公告)号：CN110668394A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910793400.5
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00 , B81C3/00 , G01P15/125
Abstract: 本发明公开一种抗干扰耐过载MEMS加速度计的制备方法，包括以下步骤：制备衬底层；在第二单晶硅片上制作感应电极中心锚点、感应电极左键合锚点与感应电极右键合锚点；在第一SOI硅片的顶层硅表面制作第一空腔；在第二SOI硅片的顶层硅表面制作第二空腔；制作可动敏感结构活动间隙以及可动敏感结构中心锚点；去除第一SOI硅片的衬底硅与埋氧层；形成感应电极层与可动敏感结构层；制作盖帽，进行盖帽键合，完成所述MEMS加速度计的制备；本发明方法制备得到的感应电极由硅支撑柱支撑，形成准悬浮式的感应电极结构，有效降低外界干扰对感应结构的影响，提高了传感器的环境适应性；可动敏感结构层为双层结构，进一步提高了传感器的耐过载能力。
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公开(公告)号：CN116119603A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211515460.9
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00 , G01P15/125 , G01P15/08
Abstract: 本发明提供一种全硅三明治加速度计的工艺制造方法，它包括盖板晶圆制作步骤、结构晶圆制作步骤以及两块盖板晶圆与结构晶圆键合步骤，在盖板晶圆上制作氧化层防撞凸点和硅硅键合氧化层，采用金属Cr作为KOH腐蚀掩膜，可以保护硅硅键合氧化层不受损伤；在结构晶圆上制作绝缘槽和敏感质量块，盖板与结构上对通区域的制作均采用KOH湿法腐蚀工艺完成，上下盖板可通用，盖板上硅硅键合氧化层的厚度即敏感质量块与上下盖板之间的电容间隙，精确可控。本发明在确保了产品质量的同时简化了盖板晶圆制作步骤，整体工艺流程简单。
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公开(公告)号：CN110668391A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910793511.6
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种具有应力释放功能的双端固支板式MEMS结构，包括相互键合的衬底层与可动结构层，衬底层顶部中心设有空腔，衬底层顶部设有环形隔离槽，环形隔离槽位于空腔外周，环形隔离槽与空腔之间形成环形固定锚点；可动结构层包含可动结构外框，可动结构外框内设有双端固支板结构，可动结构外框与双端固支板结构之间形成环形应力释放槽，环形应力释放槽与环形隔离槽相对应；环形固定锚点对双端固支板结构形成支撑；双端固支板结构的四角与可动结构外框的四个内角之间分别对应设有应力释放连接梁；本发明在保证传感器谐振频率不降低的情况下极大地减小了传感器对热应力的敏感度。
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