公开(公告)号：CN116119603A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211515460.9

申请日：2022-11-30

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 喻磊 ,  赵井宇 ,  刘洋 ,  张子文

IPC: B81C1/00 ,  G01P15/125 ,  G01P15/08

Abstract: 本发明提供一种全硅三明治加速度计的工艺制造方法，它包括盖板晶圆制作步骤、结构晶圆制作步骤以及两块盖板晶圆与结构晶圆键合步骤，在盖板晶圆上制作氧化层防撞凸点和硅硅键合氧化层，采用金属Cr作为KOH腐蚀掩膜，可以保护硅硅键合氧化层不受损伤；在结构晶圆上制作绝缘槽和敏感质量块，盖板与结构上对通区域的制作均采用KOH湿法腐蚀工艺完成，上下盖板可通用，盖板上硅硅键合氧化层的厚度即敏感质量块与上下盖板之间的电容间隙，精确可控。本发明在确保了产品质量的同时简化了盖板晶圆制作步骤，整体工艺流程简单。

公开(公告)号：CN116169105A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202310196813.1

申请日：2023-03-03

Applicant: 扬州大学 ,  华东光电集成器件研究所 ,  扬州扬福科技有限公司

Inventor： 刘洋 ,  苏亚慧 ,  吴晨成 ,  鞠莉娜 ,  薛玉雄 ,  曹荣幸 ,  翟建青

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538 ,  H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种高导热堆叠芯片结构及制备方法，堆叠结构将硅片直立起来，利用硅片侧面焊盘以及侧面焊球与基板相连，硅片与硅片之间通过正面与背面的焊盘以及焊球进行连接，如此形成一种硅片直立排列的结构。芯片直立排列结构相较于传统的三维堆叠结构，散热效果明显更好，各芯片的温度更均匀，没有出现传统三维堆叠结构中自下而上芯片温度逐渐升高的情况。