公开(公告)号：CN118712046A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410812766.3

申请日：2024-06-22

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 常赟 ,  潘佳乐 ,  宋吉递 ,  宫井路 ,  朱丽

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  B08B7/00

Abstract: 本发明涉及一种去除PAD刻蚀工艺后F残留的方法，其特征在于在PAD刻蚀工艺后立即通入氩气和氧气进行等离子启辉清洗，所述氩气量为300‑400sccm，氧气流量为50‑100sccm，腔室压力为200‑300mT，射频功率为200‑400W，时间为30‑60s。本发明的优点：工艺简单，易于操作，生产效率高；可有效防止湿法清洗对金属焊盘的腐蚀，保证了器件的性能；且无需单独的清洗设备，成本低。

公开(公告)号：CN117185248A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311105916.9

申请日：2023-08-30

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 丁景兵 ,  曹卫达 ,  黄斌 ,  刘阳 ,  常赟

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种凹腔内TSV晶圆盖板的制备方法，它包括以下步骤：在单晶硅晶圆上制备槽体与导电柱；在槽体内设有TSV深槽，在TSV深槽内设置贯穿单晶硅晶圆的多晶硅柱状结构，在导电柱上设置有金属球。本发明公开的步骤简便，容易实施，与传统TSV加工方法相比，即保留了TSV直接引出的特点，又为可动结构保留了运动空间。

公开(公告)号：CN117383507A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311556109.9

申请日：2023-11-21

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 赵井宇 ,  喻磊 ,  常赟 ,  郭立建 ,  曹卫达

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种在背片上增加通气通道的体硅加工方法，其特征在于：（1）在托片上制备通气通道的图形化光刻胶掩膜；（2）在托片上刻蚀出通气通道；（3）在托片上匀光刻胶；（4）将硅片和托片使用光刻胶粘合；（5）使用感应耦合等离子体干法刻蚀刻穿硅片，得到体硅微机构；（6）将托片和硅片分开，释放体硅微结构。本发明优点是：工艺简单，不存在工艺难点，适用小批量生产，不会对刻蚀设备产生不良影响；增加通气通道进行光刻胶黏连更能保证成品率，不会因为糊胶、裂胶等工艺缺陷损失晶圆。

公开(公告)号：CN114420556A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202210069632.8

申请日：2022-01-21

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 丁景兵 ,  曹卫达 ,  刘阳 ,  黄斌 ,  常赟 ,  陈博

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种晶圆V形TSV孔刻蚀结构的制备方法，包括以下步骤：S1、在衬底表面制备氧化硅掩蔽层及光刻胶；S2、刻蚀掩蔽层形成喇叭形开口；S3、刻蚀衬底形成TSV盲孔；S4、去除衬底光刻胶用SF6气体对掩蔽层进行刻蚀，确保TSV盲孔的侧掏尖角裸露出来；S5、取消刻蚀偏置功率，用SF6气体进行刻蚀掉侧掏尖角形成交界面平滑的TSV盲孔孔壁；S6、去除掩蔽层减薄多余硅衬底形成TSV通孔，在通孔内沉积氧化硅绝缘层、电镀金形成导电通孔，实现晶圆正反面电气信号的连接。本发明的有益效果是：1.避免后续CVD工艺导致介质层缩口的问题；2.避免电镀过程中TSV通孔孔口提前封口造成孔内出现空洞的问题。