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公开(公告)号：CN113670287B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202111110197.0
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01C19/5691
Abstract: 本发明提供一种MEMS半球陀螺仪及其制备方法，它包括由谐振器主体、半球槽、多晶硅谐振子、玻璃盖板、玻璃衬底组成的一种半球谐振陀螺仪，通过在谐振器主体上依次设置绝缘沟槽、半球槽、多晶硅谐振子、玻璃盖板、玻璃衬底以及金属pad点。本发明具有结构简单，封装测试方便的优点，利用正反面晶圆级键合工艺、poly‑TSV刻蚀填充工艺、吸气剂沉积工艺确保键合后的芯片长时间处在高真空工作环境，提高陀螺品质因数，有利于大批量、低成本微半球陀螺制备。
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公开(公告)号：CN114420556A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210069632.8
申请日：2022-01-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/308 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种晶圆V形TSV孔刻蚀结构的制备方法，包括以下步骤：S1、在衬底表面制备氧化硅掩蔽层及光刻胶；S2、刻蚀掩蔽层形成喇叭形开口；S3、刻蚀衬底形成TSV盲孔；S4、去除衬底光刻胶用SF6气体对掩蔽层进行刻蚀，确保TSV盲孔的侧掏尖角裸露出来；S5、取消刻蚀偏置功率，用SF6气体进行刻蚀掉侧掏尖角形成交界面平滑的TSV盲孔孔壁；S6、去除掩蔽层减薄多余硅衬底形成TSV通孔，在通孔内沉积氧化硅绝缘层、电镀金形成导电通孔，实现晶圆正反面电气信号的连接。本发明的有益效果是：1.避免后续CVD工艺导致介质层缩口的问题；2.避免电镀过程中TSV通孔孔口提前封口造成孔内出现空洞的问题。
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公开(公告)号：CN110668394A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910793400.5
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00 , B81C3/00 , G01P15/125
Abstract: 本发明公开一种抗干扰耐过载MEMS加速度计的制备方法，包括以下步骤：制备衬底层；在第二单晶硅片上制作感应电极中心锚点、感应电极左键合锚点与感应电极右键合锚点；在第一SOI硅片的顶层硅表面制作第一空腔；在第二SOI硅片的顶层硅表面制作第二空腔；制作可动敏感结构活动间隙以及可动敏感结构中心锚点；去除第一SOI硅片的衬底硅与埋氧层；形成感应电极层与可动敏感结构层；制作盖帽，进行盖帽键合，完成所述MEMS加速度计的制备；本发明方法制备得到的感应电极由硅支撑柱支撑，形成准悬浮式的感应电极结构，有效降低外界干扰对感应结构的影响，提高了传感器的环境适应性；可动敏感结构层为双层结构，进一步提高了传感器的耐过载能力。
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公开(公告)号：CN115626606A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211341930.4
申请日：2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种制作MOEMS器件下梳齿的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、取第一SOI晶圆，在其上制作浅腔和隔离槽；S2、第一次刻蚀下梳齿，形成下梳齿的第一部分；S3、第二次刻蚀下梳齿，形成下梳齿的第二部分；S4、取第二SOI晶圆，而后将第一、二SOI晶圆键合；S5、刻蚀上梳齿同时第三次刻蚀下梳齿，最终形成高垂直度下梳齿结构。本发明工艺方法简单，解决了常规工艺方法制作的下梳齿垂直度低，剖面形状变为“异形”的问题；保证了上下梳齿间距的高精度和MOEMS器件的高性能。
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公开(公告)号：CN113670287A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202111110197.0
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01C19/5691
Abstract: 本发明提供一种MEMS半球陀螺仪及其制备方法，它包括由谐振器主体、半球槽、多晶硅谐振子、玻璃盖板、玻璃衬底组成的一种半球谐振陀螺仪，通过在谐振器主体上依次设置绝缘沟槽、半球槽、多晶硅谐振子、玻璃盖板、玻璃衬底以及金属pad点。本发明具有结构简单，封装测试方便的优点，利用正反面晶圆级键合工艺、poly‑TSV刻蚀填充工艺、吸气剂沉积工艺确保键合后的芯片长时间处在高真空工作环境，提高陀螺品质因数，有利于大批量、低成本微半球陀螺制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113800466A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111111330.4
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种MEMS悬浮结构的深硅刻蚀方法，其特征在于将MEMS悬浮结构的深硅刻蚀程序设置为两个刻蚀阶段：刻蚀第一阶段，采用n次沉积步骤—刻蚀步骤的循环，其中n大于20；刻蚀第二阶段，采用m次沉积步骤—刻蚀步骤—停止冷却步骤的循环，其中m大于20。本发明提高MEMS悬浮可动结构深硅刻蚀时的散热效果，避免刻蚀局部温度过高导致的结构损伤，提升MEMS悬浮可动结构释放的可靠性。
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公开(公告)号：CN117434095A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311660592.5
申请日：2023-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01N23/2204 , G01N23/2251
Abstract: 本发明提供了一种MEMS晶圆微结构取样装置，包括框架、水平定距位移台、三轴位移台、晶圆托盘、晶圆、显微镜筒、取样杆和扫描电镜样品台；其中，框架包括底座和横梁；水平定距位移台安装在底座上，可往返移动于显微镜筒与取样杆的正下方位置之间；三轴位移台安装在水平定距位移台上部，用于实现三个方向轴上的平移；晶圆托盘安装在三轴位移台上部，用于容置晶圆；显微镜筒安装于横梁，用于观察晶圆微结构；取样杆安装于横梁，且与显微镜筒的安装位置位于同一水平线；扫描电镜样品台安装于取样杆底部，底端设有导电胶带。本发明还提供了一种MEMS晶圆微结构取样方法。本发明取样简单、定位准确，同时符合规范，不易引入沾污。
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公开(公告)号：CN117185248A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311105916.9
申请日：2023-08-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种凹腔内TSV晶圆盖板的制备方法，它包括以下步骤：在单晶硅晶圆上制备槽体与导电柱；在槽体内设有TSV深槽，在TSV深槽内设置贯穿单晶硅晶圆的多晶硅柱状结构，在导电柱上设置有金属球。本发明公开的步骤简便，容易实施，与传统TSV加工方法相比，即保留了TSV直接引出的特点，又为可动结构保留了运动空间。
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公开(公告)号：CN113800466B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202111111330.4
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种MEMS悬浮结构的深硅刻蚀方法，其特征在于将MEMS悬浮结构的深硅刻蚀程序设置为两个刻蚀阶段：刻蚀第一阶段，采用n次沉积步骤—刻蚀步骤的循环，其中n大于20；刻蚀第二阶段，采用m次沉积步骤—刻蚀步骤—停止冷却步骤的循环，其中m大于20。本发明提高MEMS悬浮可动结构深硅刻蚀时的散热效果，避免刻蚀局部温度过高导致的结构损伤，提升MEMS悬浮可动结构释放的可靠性。
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公开(公告)号：CN110668394B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201910793400.5
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00 , B81C3/00 , G01P15/125
Abstract: 本发明公开一种抗干扰耐过载MEMS加速度计的制备方法，包括以下步骤：制备衬底层；在第二单晶硅片上制作感应电极中心锚点、感应电极左键合锚点与感应电极右键合锚点；在第一SOI硅片的顶层硅表面制作第一空腔；在第二SOI硅片的顶层硅表面制作第二空腔；制作可动敏感结构活动间隙以及可动敏感结构中心锚点；去除第一SOI硅片的衬底硅与埋氧层；形成感应电极层与可动敏感结构层；制作盖帽，进行盖帽键合，完成所述MEMS加速度计的制备；本发明方法制备得到的感应电极由硅支撑柱支撑，形成准悬浮式的感应电极结构，有效降低外界干扰对感应结构的影响，提高了传感器的环境适应性；可动敏感结构层为双层结构，进一步提高了传感器的耐过载能力。
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