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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118712046A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410812766.3
申请日：2024-06-22
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/3213 , B08B7/00
Abstract: 本发明涉及一种去除PAD刻蚀工艺后F残留的方法，其特征在于在PAD刻蚀工艺后立即通入氩气和氧气进行等离子启辉清洗，所述氩气量为300‑400sccm，氧气流量为50‑100sccm，腔室压力为200‑300mT，射频功率为200‑400W，时间为30‑60s。本发明的优点：工艺简单，易于操作，生产效率高；可有效防止湿法清洗对金属焊盘的腐蚀，保证了器件的性能；且无需单独的清洗设备，成本低。
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公开(公告)号：CN115676772A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211341061.5
申请日：2022-10-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种去除MEMS芯片静电荷累积的方法，包括：a.在密闭腔室内抽真空度达到1Pa‑1.2Pa，温度40℃‑50℃；使MEMS器件的静电荷向介质层表面积聚；b.通入温度为40℃‑50℃的氮气和气态酒精的混合气体，使之与介质层表面充分接触，去除晶圆介质层表面吸附的水蒸气颗粒；c.通入温度为40℃‑50℃的氮气、气态酒精和气态氟化氢的混合气体，将MEMS器件结构中介质层剥除一定的厚度；然后通入氮气将腔室内的残余气态氟化氢气体完全排除干净；d.MEMS器件与硅盖板之间进行真空密封封装。本发明利用气体清洗的方式去除MEMS器件中积累的电荷，避免了MEMS器件电极之间发生漏电，提高了MEMS器件电极之间的绝缘电阻，提升MEMS器件的成品率和长期可靠性。
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公开(公告)号：CN119263200A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411318886.4
申请日：2024-09-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件的焊盘的制备方法，它包括在双抛硅片上依次制备有第一介质层、第一过渡金属层、第一金属层、第二过渡金属层、第二介质层、第三过渡金属层、第二金属层（10）和过渡介质层（11）。本发明通过在焊盘内增加合适的过渡金属层和过渡介质层结构，降低了金属层之间、金属层与介质层之间的应力失配而导致焊盘失效的风险，增加了焊盘可靠性。
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公开(公告)号：CN116062681A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211515516.0
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS悬浮敏感结构的制作方法,其特征在于：它包括以下步骤：（a）选取双抛硅片作为衬底晶圆，在其上制备活动空腔和支撑锚点；（b）在衬底晶圆上键合的一块SOI晶圆；（c）生长二氧化硅层；（d）二氧化硅刻蚀掩膜层的制作；（e）刻蚀窗口的制备；（f）第一次深硅刻蚀；（g）去除二氧化硅刻蚀掩膜层；（h）第二次深硅刻蚀；（i）去除光刻胶和氧化层刻蚀掩膜。本发明步骤简单，实施方便，有效的改善或解决了刻蚀释放中的散热问题，保证了深硅刻蚀释放工艺中的完整性。
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公开(公告)号：CN119224371A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411310146.6
申请日：2024-09-19
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明涉及一种压阻式三轴加速度计制备方法，包括以下步骤，1.在双抛硅片（1）制作空腔（4）和Z轴方向止挡（5）；3.将双抛硅片（2）与双抛硅片（1）键合在一起并制作XYZ轴敏感结构（7、8、9）、XYZ轴止挡（10、11）；4.在双抛硅片（2）上制作压阻结构（12）和引线（13）；5.在双抛硅片（3）制作空腔（14）和Z轴止挡（15）以及通孔（16），通孔填充poly硅（18）；6.将双抛硅片（3、2、1）键合，形成本发明的一种压阻式三轴加速度计。本发明的优点，采用全硅结构避免了不同材料之间的应力失配，止挡结构提升了加速度计抗过载能力，不同方向的加速度敏感结构相互独立，避免了不同方向加速度检测存在的干扰。
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