公开(公告)号：CN118929560A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410812768.2

申请日：2024-06-22

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 王帆 ,  陈璞 ,  赵文静 ,  张元特 ,  娄文婷

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00

Abstract: 本发明涉及一种具有低电阻纵向布线的MEMS谐振芯片结构，属于MEMS技术领域。它包括由下到上依次设置的衬底层、具有谐振结构的结构层和盖帽层，衬底层和结构层之间通过衬底氧化层形成绝缘键合；盖帽层与结构层通过盖帽键合介质层键合连接；衬底层的内侧设有面向谐振结构的衬底空腔；盖帽层表面设有钝化层，盖帽层的内侧设有面向谐振结构的盖帽浅腔，盖帽层中设有用于信号传导的纵向布线，纵向布线周面设有用于和周侧体硅隔离的纵向绝缘环，纵向布线的外端与外露于钝化层表面的焊盘电性连接、内端通过金硅共晶反应所形成的共晶金属连接在谐振结构上。本发明可有效减小MEMS谐振芯片信号传输的寄生电阻和RC延迟，提高器件性能和稳定性。

公开(公告)号：CN118702055A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410812767.8

申请日：2024-06-22

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 白建新 ,  赵斌 ,  王鹏 ,  包星晨 ,  王永 ,  赵文静

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01L21/12 ,  G01L21/00

Abstract: 本发明涉及一种集成式MEMS真空度芯片制备方法，属于微机械电子领域。该方法通过将不同结构的晶圆使用MEMS的制备工艺将压阻结构、皮拉尼结构和硅谐振片敏感结构集成在一起，利用微尺度效应，实现不同敏感结构在不同真空度气压段工作测量，即可实现低、中、高真空段的多领域真空度测量，提升了真空度传感器的量程与精度，且该集成结构采用MEMS体硅工艺制作方法，可以实现批量一体化制造。

公开(公告)号：CN119224371A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411310146.6

申请日：2024-09-19

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 周宁 ,  彭锟 ,  张元特 ,  赵文静 ,  马鑫 ,  朱丽

IPC: G01P15/12

Abstract: 本发明涉及一种压阻式三轴加速度计制备方法，包括以下步骤，1.在双抛硅片（1）制作空腔（4）和Z轴方向止挡（5）；3.将双抛硅片（2）与双抛硅片（1）键合在一起并制作XYZ轴敏感结构（7、8、9）、XYZ轴止挡（10、11）；4.在双抛硅片（2）上制作压阻结构（12）和引线（13）；5.在双抛硅片（3）制作空腔（14）和Z轴止挡（15）以及通孔（16），通孔填充poly硅（18）；6.将双抛硅片（3、2、1）键合，形成本发明的一种压阻式三轴加速度计。本发明的优点，采用全硅结构避免了不同材料之间的应力失配，止挡结构提升了加速度计抗过载能力，不同方向的加速度敏感结构相互独立，避免了不同方向加速度检测存在的干扰。