公开(公告)号：CN119263200A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411318886.4

申请日：2024-09-21

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 周宁 ,  彭锟 ,  朱丽 ,  王思维 ,  张元特 ,  马鑫

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明提供一种MEMS器件的焊盘的制备方法，它包括在双抛硅片上依次制备有第一介质层、第一过渡金属层、第一金属层、第二过渡金属层、第二介质层、第三过渡金属层、第二金属层（10）和过渡介质层（11）。本发明通过在焊盘内增加合适的过渡金属层和过渡介质层结构，降低了金属层之间、金属层与介质层之间的应力失配而导致焊盘失效的风险，增加了焊盘可靠性。

公开(公告)号：CN119224371A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411310146.6

申请日：2024-09-19

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 周宁 ,  彭锟 ,  张元特 ,  赵文静 ,  马鑫 ,  朱丽

IPC: G01P15/12

Abstract: 本发明涉及一种压阻式三轴加速度计制备方法，包括以下步骤，1.在双抛硅片（1）制作空腔（4）和Z轴方向止挡（5）；3.将双抛硅片（2）与双抛硅片（1）键合在一起并制作XYZ轴敏感结构（7、8、9）、XYZ轴止挡（10、11）；4.在双抛硅片（2）上制作压阻结构（12）和引线（13）；5.在双抛硅片（3）制作空腔（14）和Z轴止挡（15）以及通孔（16），通孔填充poly硅（18）；6.将双抛硅片（3、2、1）键合，形成本发明的一种压阻式三轴加速度计。本发明的优点，采用全硅结构避免了不同材料之间的应力失配，止挡结构提升了加速度计抗过载能力，不同方向的加速度敏感结构相互独立，避免了不同方向加速度检测存在的干扰。