公开(公告)号：CN119224371A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411310146.6

申请日：2024-09-19

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 周宁 ,  彭锟 ,  张元特 ,  赵文静 ,  马鑫 ,  朱丽

IPC: G01P15/12

Abstract: 本发明涉及一种压阻式三轴加速度计制备方法，包括以下步骤，1.在双抛硅片（1）制作空腔（4）和Z轴方向止挡（5）；3.将双抛硅片（2）与双抛硅片（1）键合在一起并制作XYZ轴敏感结构（7、8、9）、XYZ轴止挡（10、11）；4.在双抛硅片（2）上制作压阻结构（12）和引线（13）；5.在双抛硅片（3）制作空腔（14）和Z轴止挡（15）以及通孔（16），通孔填充poly硅（18）；6.将双抛硅片（3、2、1）键合，形成本发明的一种压阻式三轴加速度计。本发明的优点，采用全硅结构避免了不同材料之间的应力失配，止挡结构提升了加速度计抗过载能力，不同方向的加速度敏感结构相互独立，避免了不同方向加速度检测存在的干扰。

公开(公告)号：CN115630569A

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211227758.X

申请日：2022-10-09

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 郑国庆 ,  秦盼 ,  金肖依 ,  孙贝贝 ,  张元特 ,  许辉辉 ,  凤瑞

IPC: G06F30/27 ,  G06F18/2411 ,  G06N3/0442 ,  G06N3/047 ,  G06N3/09

Abstract: 本发明涉及毫米波雷达传感器技术领域，且公开了一种应用于自动驾驶的毫米波雷达传感器建模方法，包括以下步骤，通过利用毫米波雷达传感器对周围环境的交通目标进行数据采集，然后对采集的数据目标进行数据处理，其数据处理包括对数据进行噪声数据清洗处理。本发明通过不需要大量的历史数据用于模型训练，满足了目标识别实时性的要求，所提出的模型的实用性较强，预测花费时间短，较为充分地理解了不同目标之间参数的差异，通过设计目标识别模型，进一步提高了算法的识别精度，同时构建多目标检测可进行多目标对比，降低误差概率，使识别的精度得到进一步提高，避免了目标关联的精度低影响目标识别的现象。

公开(公告)号：CN119263200A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411318886.4

申请日：2024-09-21

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 周宁 ,  彭锟 ,  朱丽 ,  王思维 ,  张元特 ,  马鑫

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明提供一种MEMS器件的焊盘的制备方法，它包括在双抛硅片上依次制备有第一介质层、第一过渡金属层、第一金属层、第二过渡金属层、第二介质层、第三过渡金属层、第二金属层（10）和过渡介质层（11）。本发明通过在焊盘内增加合适的过渡金属层和过渡介质层结构，降低了金属层之间、金属层与介质层之间的应力失配而导致焊盘失效的风险，增加了焊盘可靠性。

公开(公告)号：CN118929560A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410812768.2

申请日：2024-06-22

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 王帆 ,  陈璞 ,  赵文静 ,  张元特 ,  娄文婷

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00

Abstract: 本发明涉及一种具有低电阻纵向布线的MEMS谐振芯片结构，属于MEMS技术领域。它包括由下到上依次设置的衬底层、具有谐振结构的结构层和盖帽层，衬底层和结构层之间通过衬底氧化层形成绝缘键合；盖帽层与结构层通过盖帽键合介质层键合连接；衬底层的内侧设有面向谐振结构的衬底空腔；盖帽层表面设有钝化层，盖帽层的内侧设有面向谐振结构的盖帽浅腔，盖帽层中设有用于信号传导的纵向布线，纵向布线周面设有用于和周侧体硅隔离的纵向绝缘环，纵向布线的外端与外露于钝化层表面的焊盘电性连接、内端通过金硅共晶反应所形成的共晶金属连接在谐振结构上。本发明可有效减小MEMS谐振芯片信号传输的寄生电阻和RC延迟，提高器件性能和稳定性。