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发明公开
一种MEMS器件的焊盘结构及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN119263200A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411318886.4

申请日：2024-09-21

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 周宁 , 彭锟 , 朱丽 , 王思维 , 张元特 , 马鑫

IPC: B81C1/00 , B81B7/00 , B81B7/02

Abstract: 本发明提供一种MEMS器件的焊盘的制备方法，它包括在双抛硅片上依次制备有第一介质层、第一过渡金属层、第一金属层、第二过渡金属层、第二介质层、第三过渡金属层、第二金属层（10）和过渡介质层（11）。本发明通过在焊盘内增加合适的过渡金属层和过渡介质层结构，降低了金属层之间、金属层与介质层之间的应力失配而导致焊盘失效的风险，增加了焊盘可靠性。

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