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公开(公告)号:CN118348279A
公开(公告)日:2024-07-16
申请号:CN202410459027.0
申请日:2024-04-17
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本申请公开了微机械传感器领域中的一种离散差分检测的Z轴MEMS加速度计,包括基片,基片上设有中心锚点;第一质量块、第二质量块,所述第一质量块、第二质量块中部铰接于所述中心锚点,第一质量块、第二质量块同侧端可相互交叉穿过;离散电极,所述离散电极设于所述中心锚点两侧的基片上并与第一质量块、第二质量块对应设置;离散电极与所述第一质量块构成第一敏感单元,所述离散电极与所述第二质量块构成第二敏感单元;本申请采用铰接的第一质量块、第二质量块将差分检测电容离散设置,每一对差分检测电容都紧邻着布置在尽可能小的基片局部,使得基片上任意局部的变形对离散设置的差分检测电容都产生近乎相同的电容变化量,以相互抵消,消除零偏。
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公开(公告)号:CN118746316A
公开(公告)日:2024-10-08
申请号:CN202410957295.5
申请日:2024-07-17
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开了一种双谐振MEMS传感器及其工作方法,双谐振MEMS传感器包括:第一振荡器、第二振荡器、鉴频鉴相器和延时控制电路;振荡器包括谐振器和谐振电路,谐振电路包括延时器;谐振器检测待测信号产生电容信号,谐振电路用于根据电容信号,在延时器控制下输出模拟反馈信号,模拟反馈信号输入谐振器形成闭环电路;鉴频鉴相器检测输入两个延时器的数字信号的频率和相位,当频率差小于预设第一阈值且相位差小于预设第二阈值,输出延时控制电路的控制信号,延时控制电路根据控制信号控制两个延时器进行延时调整,使两个模拟反馈信号的相位不同步。本发明能够避免双谐振MEMS传感器的两个谐振器频率接近时存在的共振测量盲区的问题。
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公开(公告)号:CN115630569A
公开(公告)日:2023-01-20
申请号:CN202211227758.X
申请日:2022-10-09
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G06F30/27 , G06F18/2411 , G06N3/0442 , G06N3/047 , G06N3/09
Abstract: 本发明涉及毫米波雷达传感器技术领域,且公开了一种应用于自动驾驶的毫米波雷达传感器建模方法,包括以下步骤,通过利用毫米波雷达传感器对周围环境的交通目标进行数据采集,然后对采集的数据目标进行数据处理,其数据处理包括对数据进行噪声数据清洗处理。本发明通过不需要大量的历史数据用于模型训练,满足了目标识别实时性的要求,所提出的模型的实用性较强,预测花费时间短,较为充分地理解了不同目标之间参数的差异,通过设计目标识别模型,进一步提高了算法的识别精度,同时构建多目标检测可进行多目标对比,降低误差概率,使识别的精度得到进一步提高,避免了目标关联的精度低影响目标识别的现象。
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公开(公告)号:CN118882621A
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202411205581.2
申请日:2024-08-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01C19/5747
Abstract: 本发明公开了一种微机械传感器技术领域的可抵消正交力的环形陀螺,旨在解决现有技术中MEMS环形振动陀螺的实时抑制正交误差难的问题,其包括中心锚点,中心锚点外周等间隔连接有多个支撑梁,支撑梁的一端连接中心锚点,且另一端连接弹性环,弹性环外周周向等间隔设置有多个环形电极;弹性环与支撑梁连接处设有正交抵消电极,正交抵消电极包括动梳齿、第一固定梳齿和第二固定梳齿,第一固定梳齿和第二固定梳齿下方与基片连接,且以对应支撑梁为对称轴对称设置,动梳齿的数量为2,其一端均与弹性环连接,另一端分别等交叠长度、等间隙设于第一固定梳齿和第二固定梳齿内。本发明具有零偏小、长期稳定性高等优点,适合作为闭环力平衡速率模式的环形陀螺。
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公开(公告)号:CN118688614A
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202410996068.3
申请日:2024-07-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所 , 北京理工大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种用于测试应力对芯片影响的实验装置及其使用方法,装置包括:上工装,所述上工装设有用于对芯片的设定点位进行施力的第一力臂;下工装,所述下工装设有用于对芯片的设定点位进行施力的第二力臂;上工装与下工装相对设置,且第一力臂朝向下工装,第二力臂朝向上工装;驱动机构,所述驱动机构用于驱动芯片在第一力臂和第二力臂之间移动,从而通过第一力臂和第二力臂一次性地对芯片上的设定点位施加连续性变化的拉应力和压应力。本发明在测试过程中能在芯片的设定点位一次性地施加拉应力或压应力,且施加的应力大小可以线性且连续变化,提高了测试效率和精度。
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公开(公告)号:CN117023505A
公开(公告)日:2023-11-10
申请号:CN202311103226.X
申请日:2023-08-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开了一种MEMS芯片封装结构及其封装方法,封装结构包括:置于底层的封装管壳、固接于封装管壳腔体中的T型硅基板以及设于T型硅基板顶面的ASIC电路芯片和MEMS芯片,T型硅基板底面的中轴线上设有下凸台,下凸台用于将T型硅基板固接在封装管壳的顶面上;T型硅基板顶面设有用于固接ASIC电路芯片的第一粘片区和用于固接MEMS芯片的第二粘片区;第一粘片区和第二粘片区的外侧均环绕有多孔阵列结构,多孔阵列结构中的阵列孔贯穿T型硅基板。本发明实现了MEMS芯片与封装管壳以及ASIC电路芯片之间的温度和应力双重隔离。
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公开(公告)号:CN115285925A
公开(公告)日:2022-11-04
申请号:CN202210992757.8
申请日:2022-08-18
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开了一种MEMS芯片低应力多孔阵列封装结构及封装方法,所述方法包括多孔阵列结构的硅基板的加工;所述基于多孔阵列结构的硅基板的加工包括以下步骤:准备单晶硅晶圆,底部刻隔离腔,顶部刻蚀多孔阵列结构,刻蚀划片槽,沿划片槽划片形成单个硅基板,本发明通过在硅基板底部刻蚀隔离腔,使得硅基板下表面与多孔阵列结构底面产生了台阶,通过环形粘胶固定在封装管壳底面上,既实现了机械固定又降低了硅基板的粘接应力。台阶可避免硅基板底面施胶过多溢出导致与多孔阵列结构底面粘连,且通过设置多孔阵列结构,使得产品在给MEMS芯片与硅基板提供足够强度的同时,又能释放封装管壳与硅基板之间的应力。
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