一种双谐振MEMS传感器及其工作方法

    公开(公告)号:CN118746316A

    公开(公告)日:2024-10-08

    申请号:CN202410957295.5

    申请日:2024-07-17

    Abstract: 本发明公开了一种双谐振MEMS传感器及其工作方法,双谐振MEMS传感器包括:第一振荡器、第二振荡器、鉴频鉴相器和延时控制电路;振荡器包括谐振器和谐振电路,谐振电路包括延时器;谐振器检测待测信号产生电容信号,谐振电路用于根据电容信号,在延时器控制下输出模拟反馈信号,模拟反馈信号输入谐振器形成闭环电路;鉴频鉴相器检测输入两个延时器的数字信号的频率和相位,当频率差小于预设第一阈值且相位差小于预设第二阈值,输出延时控制电路的控制信号,延时控制电路根据控制信号控制两个延时器进行延时调整,使两个模拟反馈信号的相位不同步。本发明能够避免双谐振MEMS传感器的两个谐振器频率接近时存在的共振测量盲区的问题。

    一种用于测试应力对芯片影响的实验装置及其使用方法

    公开(公告)号:CN118688614A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410996068.3

    申请日:2024-07-24

    Abstract: 本发明公开了一种用于测试应力对芯片影响的实验装置及其使用方法,装置包括:上工装,所述上工装设有用于对芯片的设定点位进行施力的第一力臂;下工装,所述下工装设有用于对芯片的设定点位进行施力的第二力臂;上工装与下工装相对设置,且第一力臂朝向下工装,第二力臂朝向上工装;驱动机构,所述驱动机构用于驱动芯片在第一力臂和第二力臂之间移动,从而通过第一力臂和第二力臂一次性地对芯片上的设定点位施加连续性变化的拉应力和压应力。本发明在测试过程中能在芯片的设定点位一次性地施加拉应力或压应力,且施加的应力大小可以线性且连续变化,提高了测试效率和精度。

    一种MEMS芯片封装结构及其封装方法

    公开(公告)号:CN117023505A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311103226.X

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 本发明公开了一种MEMS芯片封装结构及其封装方法,封装结构包括:置于底层的封装管壳、固接于封装管壳腔体中的T型硅基板以及设于T型硅基板顶面的ASIC电路芯片和MEMS芯片,T型硅基板底面的中轴线上设有下凸台,下凸台用于将T型硅基板固接在封装管壳的顶面上;T型硅基板顶面设有用于固接ASIC电路芯片的第一粘片区和用于固接MEMS芯片的第二粘片区;第一粘片区和第二粘片区的外侧均环绕有多孔阵列结构,多孔阵列结构中的阵列孔贯穿T型硅基板。本发明实现了MEMS芯片与封装管壳以及ASIC电路芯片之间的温度和应力双重隔离。

    一种MEMS芯片低应力多孔阵列封装结构及封装方法

    公开(公告)号:CN115285925A

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202210992757.8

    申请日:2022-08-18

    Abstract: 本发明公开了一种MEMS芯片低应力多孔阵列封装结构及封装方法,所述方法包括多孔阵列结构的硅基板的加工;所述基于多孔阵列结构的硅基板的加工包括以下步骤:准备单晶硅晶圆,底部刻隔离腔,顶部刻蚀多孔阵列结构,刻蚀划片槽,沿划片槽划片形成单个硅基板,本发明通过在硅基板底部刻蚀隔离腔,使得硅基板下表面与多孔阵列结构底面产生了台阶,通过环形粘胶固定在封装管壳底面上,既实现了机械固定又降低了硅基板的粘接应力。台阶可避免硅基板底面施胶过多溢出导致与多孔阵列结构底面粘连,且通过设置多孔阵列结构,使得产品在给MEMS芯片与硅基板提供足够强度的同时,又能释放封装管壳与硅基板之间的应力。

    计算机接口装置
    5.
    实用新型

    公开(公告)号:CN201489446U

    公开(公告)日:2010-05-26

    申请号:CN200920186215.1

    申请日:2009-06-30

    Abstract: 本实用新型涉及一种计算机接口装置,在计算机(1)中设置一个接口模块(5),接口模块中设有卡槽(8),其端部设有插针式硬盘外部接口(6)以及插针式网络外部接口(7),它们通过数据线(3、4)与主板中的硬盘接口和网络接口相连接。本实用新型还包括一个与卡槽连接的涉密模块和一个非密模块,涉密模块中只设置插槽式硬盘模块接口,非密模块中设置插槽式硬盘模块接口以及插槽式网络模块接口,它们分别与插针式硬盘外部接口(6)以及插针式网络外部接口(7)配合连接。其优点在于:使用一台计算机,两个不同硬盘,满足保密与非保密条件下的工作要求,使用与携带方便,占用资源少。

    氧传感器
    6.
    实用新型

    公开(公告)号:CN201508346U

    公开(公告)日:2010-06-16

    申请号:CN200920186214.7

    申请日:2009-06-30

    Abstract: 本实用新型涉及一种氧传感器,包括敏感元件(3)、气体参比通道板(5)、测量电极(2)、参比电极(4)、加热体,加热体由氧化锆基质板(6)、加热电极(8)构成,其特征在于:一对氧化锆基质板(6),氧化锆基质板(6)间设有加热电极(8),加热电极(8)是由加热线a以及两端相连的导线b构成。本实用新型的有益效果是氧传感器激活快、灵敏度高;氧传感器结构简单,制造方便,降低了成本,同时波形的加热电极形状也可明显减少方形加热器转折点过热的问题,提高了寿命。

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