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公开(公告)号：CN119129511A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411265368.0
申请日：2024-09-10
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G06F30/392 , G06F30/394 , G06F30/398
Abstract: 本发明公开了一种多个晶体管器件共质心匹配的版图设计方法。该方法中的13个晶体管器件采用共质心匹配的版图结构，包含N1‑N13的13个器件，每个器件分成尺寸等长的N个叉指数，所有器件最大程度均匀地分布在16行9列的阵列中，每个器件的质心与X轴和Y轴的原点重合，形成共质心版图结构。相应的连线等长对称，以达到电流匹配，并且添加N14器件作为虚拟器件，减小器件在工艺上的生产误差，通过把13个器件均匀地分布成16行9列，达到共质心匹配，来降低应力引起的失配。
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公开(公告)号：CN118961005A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411015506.X
申请日：2024-07-26
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开了MEMS硅谐振压力传感器及自动增益控制电路单芯片实现方法，所述压力传感器包括：硅谐振压力传感器敏感结构与AC‑AGC交流自动增益控制电路，所述硅谐振压力传感器敏感结构与AC‑AGC交流自动增益控制电路构成闭环反馈控制回路，同时将检测到的正弦波信号通过带通滤波和方波信号转换处理后，完成检测压力值‑频率值的转换输出；本发明在满足硅谐振压力传感器高性能和高可靠性要求的前提下，将自动增益控制板级电路进行芯片级设计，从而转为单颗芯片，能大幅减少原电路板元器件的种类和数量，减小控制电路及压力传感器整表的体积和重量，并降低传感器整表功耗和成本，符合硅谐振压力传感器未来“质量轻、体积小、价格廉、功耗省”的发展需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117930931A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311561061.0
申请日：2023-11-22
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及一种PTAT基准电流源启动电路，其特征在于由PTAT电流源核心电路、启动开关和启动放大器AMP2组成，PTAT电流源的电流镜采用PMOS型共源共栅结构，提高了电流镜的镜像性能，进一步降低负载对电流源的影响，提高电流源的电源抑制比。通过运算放大器的输出同时控制两个开关，让两个开关同时启动PMOS型共源共栅电流镜上下两层的PMOS管，使电流源更加快速的启动。启动电路通过检测电阻两端电压来控制启动开关的关闭，具有很高的可靠性。反馈控制回路由AMP1和源跟随器构成，主极点在AMP1的输出，源跟随器的输出阻抗较低使次极点远离主极点，保证了环路稳定性。
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公开(公告)号：CN119010954A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411042440.3
申请日：2024-07-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H04B3/54
Abstract: 本发明提供了一种电源线单线通信信号转换系统，LDO1的电源接VCC，地接VSS，第一输出VREF1接比较器COMP1的正向输入端，第二输出VREF2接比较器COMP2的反向输入端；LDO2的电源接VCC，地接VSS，输出VDD_INT接电平转换电路的VCCL端；电阻R1、R2、R3串联接到电源线VCC和地线VSS之间；比较器COMP1的正向输入端接VREF1，反向输入端接节点A，电源接VCC，地接VSS，输出接节点C；比较器COMP2的正向输入端接节点B，反向输入端接VREF2，电源接VCC，地接VSS，输出接节点D；与非门NAND1的输入端分别接节点D和节点E，输出接节点F；与非门NAND2的输入端分别接节点C和节点F，输出接节点E；电平转换电路的输入接节点E，输出接节点OUT，高压电源VCCH接VCC，低压电源VCCL接LDO2的输出VDD_INT，地接VSS。
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公开(公告)号：CN118732772A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411007325.2
申请日：2024-07-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提供了一种高精度电压基准芯片的数字温度补偿系统，带隙基准电路用于产生1.24V的带隙基准电压；驱动放大器对带隙基准电压进行比例放大形成1.2V、2.5V或5V的基准电压，并为外部电路提供驱动电流；放大器放大带隙基准电路的ΔVBE电压，使其在整个温度范围类的变化接近ADC的满量程；ADC对放大后的ΔVBE进行采样量化，产生对应不同温度的数字码值；OSC的振荡电路产生芯片运行所需的时钟信号；NVM存储芯片的修调系数及各模块的配置值；数字接口电路实现芯片与外部处控制器的通信，实现内部电路模块的配置和NVM数据更新；数字补偿算法电路通过ADC采集的温度信息和NVM中的补偿算法对带隙基准的输出电压进行实时补偿，消除温度曲率，失调及工艺偏差引起的误差。
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公开(公告)号：CN117232692A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310994551.3
申请日：2023-08-09
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种高精度MEMS硅谐振压力传感器数字化调试装置，由硅谐振压力传感器、单片接口电路、测量设备、FPGA/MCU控制板和上位机组成；上位机中选择齐纳击穿管修调单元阵列的修调项目，根据传感器实际特性设定测试目标值后，进行串行试写，完成修调单元阵列的读取操作后，测量设备测量单片接口电路的电参数目标值，实际值与目标值一致调试结束，反之则重新开始。本发明的有益效果是，在不增加额外成本和传感器尺寸的条件下实现电路电性能参数的片上修调与固化，整个调试环节数字化、自动化程度高，调试效率高，易于操作；齐纳击穿管反向击穿后性能稳定，不存在存储单元高温漏电丢数的隐患，进一步提升了可靠性和工程适用性。
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公开(公告)号：CN201508346U
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200920186214.7
申请日：2009-06-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01N27/409
Abstract: 本实用新型涉及一种氧传感器，包括敏感元件(3)、气体参比通道板(5)、测量电极(2)、参比电极(4)、加热体，加热体由氧化锆基质板(6)、加热电极(8)构成，其特征在于：一对氧化锆基质板(6)，氧化锆基质板(6)间设有加热电极(8)，加热电极(8)是由加热线a以及两端相连的导线b构成。本实用新型的有益效果是氧传感器激活快、灵敏度高；氧传感器结构简单，制造方便，降低了成本，同时波形的加热电极形状也可明显减少方形加热器转折点过热的问题，提高了寿命。
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