公开(公告)号：CN119010954A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411042440.3

申请日：2024-07-31

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 龙强 ,  马涛 ,  李乐 ,  郭靖静

IPC: H04B3/54

Abstract: 本发明提供了一种电源线单线通信信号转换系统，LDO1的电源接VCC，地接VSS，第一输出VREF1接比较器COMP1的正向输入端，第二输出VREF2接比较器COMP2的反向输入端；LDO2的电源接VCC，地接VSS，输出VDD_INT接电平转换电路的VCCL端；电阻R1、R2、R3串联接到电源线VCC和地线VSS之间；比较器COMP1的正向输入端接VREF1，反向输入端接节点A，电源接VCC，地接VSS，输出接节点C；比较器COMP2的正向输入端接节点B，反向输入端接VREF2，电源接VCC，地接VSS，输出接节点D；与非门NAND1的输入端分别接节点D和节点E，输出接节点F；与非门NAND2的输入端分别接节点C和节点F，输出接节点E；电平转换电路的输入接节点E，输出接节点OUT，高压电源VCCH接VCC，低压电源VCCL接LDO2的输出VDD_INT，地接VSS。

公开(公告)号：CN118732772A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202411007325.2

申请日：2024-07-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 李乐 ,  赵国良 ,  马涛 ,  龙强

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明提供了一种高精度电压基准芯片的数字温度补偿系统，带隙基准电路用于产生1.24V的带隙基准电压；驱动放大器对带隙基准电压进行比例放大形成1.2V、2.5V或5V的基准电压，并为外部电路提供驱动电流；放大器放大带隙基准电路的ΔVBE电压，使其在整个温度范围类的变化接近ADC的满量程；ADC对放大后的ΔVBE进行采样量化，产生对应不同温度的数字码值；OSC的振荡电路产生芯片运行所需的时钟信号；NVM存储芯片的修调系数及各模块的配置值；数字接口电路实现芯片与外部处控制器的通信，实现内部电路模块的配置和NVM数据更新；数字补偿算法电路通过ADC采集的温度信息和NVM中的补偿算法对带隙基准的输出电压进行实时补偿，消除温度曲率，失调及工艺偏差引起的误差。

公开(公告)号：CN119129511A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411265368.0

申请日：2024-09-10

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 郭靖静 ,  周晨露 ,  龙强 ,  李乐 ,  马涛

IPC: G06F30/392 ,  G06F30/394 ,  G06F30/398

Abstract: 本发明公开了一种多个晶体管器件共质心匹配的版图设计方法。该方法中的13个晶体管器件采用共质心匹配的版图结构，包含N1‑N13的13个器件，每个器件分成尺寸等长的N个叉指数，所有器件最大程度均匀地分布在16行9列的阵列中，每个器件的质心与X轴和Y轴的原点重合，形成共质心版图结构。相应的连线等长对称，以达到电流匹配，并且添加N14器件作为虚拟器件，减小器件在工艺上的生产误差，通过把13个器件均匀地分布成16行9列，达到共质心匹配，来降低应力引起的失配。

公开(公告)号：CN118961005A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411015506.X

申请日：2024-07-26

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 马涛 ,  李乐 ,  赵国良 ,  龙强

IPC: G01L1/16 ,  G01L9/08

Abstract: 本发明公开了MEMS硅谐振压力传感器及自动增益控制电路单芯片实现方法，所述压力传感器包括：硅谐振压力传感器敏感结构与AC‑AGC交流自动增益控制电路，所述硅谐振压力传感器敏感结构与AC‑AGC交流自动增益控制电路构成闭环反馈控制回路，同时将检测到的正弦波信号通过带通滤波和方波信号转换处理后，完成检测压力值‑频率值的转换输出；本发明在满足硅谐振压力传感器高性能和高可靠性要求的前提下，将自动增益控制板级电路进行芯片级设计，从而转为单颗芯片，能大幅减少原电路板元器件的种类和数量，减小控制电路及压力传感器整表的体积和重量，并降低传感器整表功耗和成本，符合硅谐振压力传感器未来“质量轻、体积小、价格廉、功耗省”的发展需求。

公开(公告)号：CN117233680A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311167786.1

申请日：2023-09-11

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 闫洁 ,  孙文卫 ,  龙强 ,  王川东 ,  陆招扬 ,  王自刚

IPC: G01R35/00 ,  G01R31/01 ,  G01R1/04

Abstract: 本发明提供了一种耐大电流的集成式传感器测试装置，包括测试旋钮、测试上盖、测试座、测试连接块、PCB测试板、螺纹杆以及压块，螺纹杆安装于测试上盖内部，螺纹杆一端伸出与测试旋钮固定相连，另一端与压块固定相连；所述测试座、测试连接块、PCB测试板从上到下依次层叠安装并对应设有定位槽、容置槽、焊盘，测试座与测试上盖之间可拆卸式安装，容置槽内用于放置集成式传感器，当转动测试旋钮时，通过螺纹杆可驱使压块下移通过定位槽定位并压紧集成式传感器与焊盘充分接触。本发明通过转动测试旋钮，可驱动螺纹杆下移带动压块通过定位槽定位并压紧容置槽内的集成式传感器与焊盘充分接触，能够很好的对集成式传感器固定并进行大电流测试。