离散差分检测的Z轴MEMS加速度计
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118348279A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202410459027.0

    申请日:2024-04-17

    Abstract: 本申请公开了微机械传感器领域中的一种离散差分检测的Z轴MEMS加速度计,包括基片,基片上设有中心锚点;第一质量块、第二质量块,所述第一质量块、第二质量块中部铰接于所述中心锚点,第一质量块、第二质量块同侧端可相互交叉穿过;离散电极,所述离散电极设于所述中心锚点两侧的基片上并与第一质量块、第二质量块对应设置;离散电极与所述第一质量块构成第一敏感单元,所述离散电极与所述第二质量块构成第二敏感单元;本申请采用铰接的第一质量块、第二质量块将差分检测电容离散设置,每一对差分检测电容都紧邻着布置在尽可能小的基片局部,使得基片上任意局部的变形对离散设置的差分检测电容都产生近乎相同的电容变化量,以相互抵消,消除零偏。

    一种MEMS惯性器件敏感结构及其制作方法

    公开(公告)号:CN118706112A

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202410853728.2

    申请日:2024-08-07

    Abstract: 本申请公开了一种MEMS惯性器件敏感结构及其制作方法,敏感结构包括衬底、敏感结构层和盖帽,敏感结构层包括敏感质量块和连接在敏感质量块上的梳齿电容,敏感质量块通过弹性支撑梁连接在衬底上,且敏感质量块悬空,敏感质量块上设有通孔;盖帽底面具有外凸的密封围框和阻挡块,阻挡块的外周设有软质金属层,阻挡块位于密封围框内,阻挡块贯穿通孔和衬底相连接,密封围框和衬底相连接;阻挡块和密封围框之间形成深空腔,以密封敏感质量块、梳齿电容和弹性支撑梁。本申请使敏感结构在强烈的过载冲击下得到保护。

    一种用于测试应力对芯片影响的实验装置及其使用方法

    公开(公告)号:CN118688614A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410996068.3

    申请日:2024-07-24

    Abstract: 本发明公开了一种用于测试应力对芯片影响的实验装置及其使用方法,装置包括:上工装,所述上工装设有用于对芯片的设定点位进行施力的第一力臂;下工装,所述下工装设有用于对芯片的设定点位进行施力的第二力臂;上工装与下工装相对设置,且第一力臂朝向下工装,第二力臂朝向上工装;驱动机构,所述驱动机构用于驱动芯片在第一力臂和第二力臂之间移动,从而通过第一力臂和第二力臂一次性地对芯片上的设定点位施加连续性变化的拉应力和压应力。本发明在测试过程中能在芯片的设定点位一次性地施加拉应力或压应力,且施加的应力大小可以线性且连续变化,提高了测试效率和精度。

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