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公开(公告)号：CN102401841A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110253586.9
申请日：2011-08-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 一种多悬臂梁加速度传感器，包括质量块，质量块的侧面设有悬臂梁，悬臂梁上设有压敏电阻，其特征在于：所述悬臂梁由两个及两个以上的与质量块等高的子悬臂梁组成。本发明的多个子悬臂梁结构，其可以在不改变结构对非敏感方向载荷抑制的条件下，极大的提高结构的灵敏度；在结构灵敏度不变的情况下，极大的提高结构的抑制交叉耦合能力。同时悬臂梁采用与质量块等高结构，易于实现加工。
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公开(公告)号：CN102079502A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010571925.3
申请日：2010-12-03
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 一种MEMS器件及其圆片级真空封装方法，由玻璃基片(1)、带有密封环(2)的硅片敏感结构层和硅帽(9)组成，其特征在于：硅片敏感结构层中设有至少两个硅岛(11)，每个硅岛(11)的下面与玻璃基片(1)以及电极引线(8)连接，每个硅岛(11)上面分别设有压焊点(6)；硅帽上与每个硅岛对应位置分别设有一个压焊点空腔(7)，使压焊点(6)处于压焊点空腔(7)内，压焊点空腔外围设有压焊点密封环(12)与硅岛上面连接配合，压焊点密封环外围设有压焊点隔离槽(5)。本发明的优点在于：避免了电极从衬底基板引入到器件结构层表面，对压焊点的密封结构与压焊点间的电隔离技术问题。使得本发明真空封装结构设计合理、工艺简单、真空保持时间长、性能可靠、具有通用性，降低了真空封装成本。
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公开(公告)号：CN118706112A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410853728.2
申请日：2024-08-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本申请公开了一种MEMS惯性器件敏感结构及其制作方法，敏感结构包括衬底、敏感结构层和盖帽，敏感结构层包括敏感质量块和连接在敏感质量块上的梳齿电容，敏感质量块通过弹性支撑梁连接在衬底上，且敏感质量块悬空，敏感质量块上设有通孔；盖帽底面具有外凸的密封围框和阻挡块，阻挡块的外周设有软质金属层，阻挡块位于密封围框内，阻挡块贯穿通孔和衬底相连接，密封围框和衬底相连接；阻挡块和密封围框之间形成深空腔，以密封敏感质量块、梳齿电容和弹性支撑梁。本申请使敏感结构在强烈的过载冲击下得到保护。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102079502B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201010571925.3
申请日：2010-12-03
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 一种MEMS器件及其圆片级真空封装方法，由玻璃基片(1)、带有密封环(2)的硅片敏感结构层和硅帽(9)组成，其特征在于：硅片敏感结构层中设有至少两个硅岛(11)，每个硅岛(11)的下面与玻璃基片(1)以及电极引线(8)连接，每个硅岛(11)上面分别设有压焊点(6)；硅帽上与每个硅岛对应位置分别设有一个压焊点空腔(7)，使压焊点(6)处于压焊点空腔(7)内，压焊点空腔外围设有压焊点密封环(12)与硅岛上面连接配合，压焊点密封环外围设有压焊点隔离槽(5)。本发明的优点在于：避免了电极从衬底基板引入到器件结构层表面，对压焊点的密封结构与压焊点间的电隔离技术问题。使得本发明真空封装结构设计合理、工艺简单、真空保持时间长、性能可靠、具有通用性，降低了真空封装成本。
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公开(公告)号：CN119147786A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411352810.3
申请日：2024-09-26
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/125 , G01P15/08 , G01P1/02
Abstract: 本发明提供一种抗高冲击的MEMS过载传感器模块，通过从结构设计跟封装两方面提高过载传感器的抗冲击性能。具体包含不锈钢组装管壳、PCB板、MEMS加速度传感器。MEMS加速度传感器及其相关元器件焊接在PCB板上，PCB板通过螺丝固定在模块组装管壳内，填充灌封胶后封模块盖组装板；所述模块组装管壳在组装PCB后，其内部填充的灌封胶，通过灌封防护可提高抗冲击性能；所述MEMS传感器由MEMS单轴梳齿电容式单轴加速度传感器结构和ASIC芯片组成；所述衬底与所述MEMS敏感结构通过锚点支撑、TSV连接，所述锚点采用离散小面积锚点，与传统单支点相比较，具有更低的应力。
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公开(公告)号：CN102367165B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201110253613.2
申请日：2011-08-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种基于SOI的MEMS器件电极互连方法，采用在硅盖板（2）上制作金属互连导线（2-8）、以及各种电隔离槽（2-5、2-6），然后通过金-硅共晶键合把MEMS器件结构层（3）与硅盖板（2）粘接在一起，从而实现MEMS器件的电极通过盖板上的金属导线互连在一起，并引出到金属压焊点上。本发明提供的方法克服了现有技术采用的介质填充、平坦化等工艺带来的技术难题，简化了工艺，易操作，适于各种SOIMEMS器件的制作。
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公开(公告)号：CN102522262A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110419225.7
申请日：2011-12-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01H35/14
Abstract: 本发明提供了一种MEMS加速度开关，由衬底（5）、硅框架（8）、弧形悬臂梁（1）、环形质量块（2）、碰撞柱（3）、环形接触电极（4）和硅盖帽（7）组成。硅框架固定在衬底上，中心设有圆孔；碰撞柱位于硅框架中心，固定在衬底上；硅框架圆孔上均布一组悬空的弧形悬臂梁，弧形悬臂梁的端部与环形质量块连接；环形质量块与碰撞柱同心并具有一定的间隙；环形接触电极位于环形质量块下方并固定在衬底上。本发明采用环形碰撞结构，可以实现平面任意方向及垂直水平面方向等多个方向上信号检测，同时采用环形结构设计，提高了开关的抗高冲击能力。本发明具有结构精巧、加工工艺简单、便于批量制作等特点。
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公开(公告)号：CN102367165A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201110253613.2
申请日：2011-08-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种基于SOI的MEMS器件电极互连方法，采用在硅盖板（2）上制作金属互连导线（2-8）、以及各种电隔离槽（2-5、2-6），然后通过金-硅共晶键合把MEMS器件结构层（3）与硅盖板（2）粘接在一起，从而实现MEMS器件的电极通过盖板上的金属导线互连在一起，并引出到金属压焊点上。本发明提供的方法克服了现有技术采用的介质填充、平坦化等工艺带来的技术难题，简化了工艺，易操作，适于各种SOIMEMS器件的制作。
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