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公开(公告)号：CN102862947B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201210346195.6
申请日：2012-09-18
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法，其特征在于：采用硅硅直接键合技术实现晶圆级真空封装，硅衬底（10）上键合的硅结构层（15）采用低阻硅片，直接在硅结构层上刻蚀形成电互联引线（5），在硅盖帽（12）中引线通孔（13）中的电互联引线压焊区（4）上溅射铝电极（14）。本发明具有如下优点：采用全硅结构，键合后无残余应力，能够大大提高器件工作性能；利用低阻硅作为电极引线，避免了硅硅直接键合过程中高温对金属电极的破坏；硅硅直接键合气密性极好，大大降低了封装成本；这种方法一致性和可靠性高，工艺易于实现。
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公开(公告)号：CN102967729A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210344083.7
申请日：2012-09-18
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明一种压阻式MEMS加速度计，其特征在于它由第一质量块（4）、第二质量块（6）以及玻璃衬底（10）通过键合连接组成，第一质量块（4）中设有悬臂梁（9），悬臂梁上制有压敏电阻（2）及铝引线（3），第二质量块（6）设有加强链（8）。本发明具有如下优点：将梁-岛式结构与加强链式结构结合在一起，实现了较高的灵敏度与较高的固有频率；加强链式结构有效的提高了加速度计的抗冲击能力，避免了恶劣环境下加速度计的失效问题，并能够承受更高的横向加速度，降低了交叉轴灵敏度，进一步提高了加速度计性能。
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公开(公告)号：CN102967394A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210340680.2
申请日：2012-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及微电子机械领域中的一种对称电容式压力传感器，采用MEMS体硅工艺进行加工制作，其特征在于包括：硅片制作的基体（6），基体（6）两面分别设有完全对称的检测电容腔（3）和参考电容腔（4），基体（6）背面键合连接硅盖板（5），基体（6）正面键合连接由SOI硅片制成的压力敏感膜（1），压力敏感膜（1）一侧的基体上设有电极（7）。
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公开(公告)号：CN102401841A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110253586.9
申请日：2011-08-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 一种多悬臂梁加速度传感器，包括质量块，质量块的侧面设有悬臂梁，悬臂梁上设有压敏电阻，其特征在于：所述悬臂梁由两个及两个以上的与质量块等高的子悬臂梁组成。本发明的多个子悬臂梁结构，其可以在不改变结构对非敏感方向载荷抑制的条件下，极大的提高结构的灵敏度；在结构灵敏度不变的情况下，极大的提高结构的抑制交叉耦合能力。同时悬臂梁采用与质量块等高结构，易于实现加工。
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公开(公告)号：CN103600287A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310589123.9
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B24B37/34
Abstract: 机电设备管线固定装置，其特征在于它包括：底座（1），立柱（2）、横梁（3）、锁紧螺母（4）、转子座（5）、固定销（7）、转子（8）、挂钩（9），立柱下端连接在底座上，上侧与横梁配合，锁紧螺母分别将它们固定锁紧，转子座固定在横梁的一侧，转子与转子座配合，挂钩连接在转子上。由于采用了上述技术方案，使得本发明结构简单，解决了加工过程中因管线无法固定造成的影响，具有方便加工和操作，提高工作效率等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102998037A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210340683.6
申请日：2012-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种介质隔离压阻式压力传感器，包括SOI硅片以及键合的下盖板（6），SOI硅片的顶层硅（5c）中设置的压敏体电阻（1）周围设有隔离介质（2a），顶层硅（5c）表面设有氧化隔离层（2），其表面设有铝电极（4）与对应的压敏体电阻（1）连接；SOI硅片的底层硅（5）中设有空腔及硅岛（5a）。本发明有效的解决了传统压阻式压力传感器灵敏度、线性度、可靠性低和电隔离差的难题，同时采用顶层硅作为压敏体电阻的厚度有效的保证了后期工艺高温环境对器件性能的影响，保证了器件性能的一致性和稳定性，采用硅硅键合等工艺，避免了新材料引入的应力，实现器件的高性能，该结构加工工艺易于控制，保证了结构加工的一致性。
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公开(公告)号：CN103600287B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310589123.9
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B24B37/34
Abstract: 机电设备管线固定装置，其特征在于它包括：底座（1），立柱（2）、横梁（3）、锁紧螺母（4）、转子座（5）、固定销（7）、转子（8）、挂钩（9），立柱下端连接在底座上，上侧与横梁配合，锁紧螺母分别将它们固定锁紧，转子座固定在横梁的一侧，转子与转子座配合，挂钩连接在转子上。由于采用了上述技术方案，使得本发明结构简单，解决了加工过程中因管线无法固定造成的影响，具有方便加工和操作，提高工作效率等优点。
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公开(公告)号：CN102998037B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210340683.6
申请日：2012-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种介质隔离压阻式压力传感器，包括SOI硅片以及键合的下盖板（6），SOI硅片的顶层硅（5c）中设置的压敏体电阻（1）周围设有隔离介质（2a），顶层硅（5c）表面设有氧化隔离层（2），其表面设有铝电极（4）与对应的压敏体电阻（1）连接；SOI硅片的底层硅（5）中设有空腔及硅岛（5a）。本发明有效的解决了传统压阻式压力传感器灵敏度、线性度、可靠性低和电隔离差的难题，同时采用顶层硅作为压敏体电阻的厚度有效的保证了后期工艺高温环境对器件性能的影响，保证了器件性能的一致性和稳定性，采用硅硅键合等工艺，避免了新材料引入的应力，实现器件的高性能，该结构加工工艺易于控制，保证了结构加工的一致性。
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公开(公告)号：CN102963865B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210340681.7
申请日：2012-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明涉及一种硅硅键合表面沾污的处理方法，包括以下步骤：a、制作一个与待键合硅片形状相适应的硅垫片，硅垫片表面沉积一层氮化硅薄膜；b、将硅垫片沉积氮化硅的一面与待键合硅片对准贴紧，放置于键合夹具中固定；c、将硅垫片以及待键合硅片进行预键合，预键合后揭下硅垫片，d、将预键合后的硅片进行烧结键合。本发明具有如下优点：（1）本发明不需要化学和物理手段去除，可以提高MEMS器件可动结构的完整性；（2）本发明简单实用，使用方法易于操作，适于生产加工中广泛应用。
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公开(公告)号：CN102963865A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210340681.7
申请日：2012-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明涉及一种硅硅键合表面沾污的处理方法，包括以下步骤：a、制作一个与待键合硅片形状相适应的硅垫片，硅垫片表面沉积一层氮化硅薄膜；b、将硅垫片沉积氮化硅的一面与待键合硅片对准贴紧，放置于键合夹具中固定；c、将硅垫片以及待键合硅片进行预键合，预键合后揭下硅垫片，d、将预键合后的硅片进行烧结键合。本发明具有如下优点：（1）本发明不需要化学和物理手段去除，可以提高MEMS器件可动结构的完整性；（2）本发明简单实用，使用方法易于操作，适于生产加工中广泛应用。
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