公开(公告)号：CN102367165B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201110253613.2

申请日：2011-08-31

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 方澍 ,  郭群英 ,  徐栋 ,  黄斌 ,  陈博 ,  王祖民

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种基于SOI的MEMS器件电极互连方法，采用在硅盖板（2）上制作金属互连导线（2-8）、以及各种电隔离槽（2-5、2-6），然后通过金-硅共晶键合把MEMS器件结构层（3）与硅盖板（2）粘接在一起，从而实现MEMS器件的电极通过盖板上的金属导线互连在一起，并引出到金属压焊点上。本发明提供的方法克服了现有技术采用的介质填充、平坦化等工艺带来的技术难题，简化了工艺，易操作，适于各种SOIMEMS器件的制作。

公开(公告)号：CN102367165A

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN201110253613.2

申请日：2011-08-31

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 方澍 ,  郭群英 ,  徐栋 ,  黄斌 ,  陈博 ,  王祖民

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种基于SOI的MEMS器件电极互连方法，采用在硅盖板（2）上制作金属互连导线（2-8）、以及各种电隔离槽（2-5、2-6），然后通过金-硅共晶键合把MEMS器件结构层（3）与硅盖板（2）粘接在一起，从而实现MEMS器件的电极通过盖板上的金属导线互连在一起，并引出到金属压焊点上。本发明提供的方法克服了现有技术采用的介质填充、平坦化等工艺带来的技术难题，简化了工艺，易操作，适于各种SOIMEMS器件的制作。