公开(公告)号：CN118706112A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410853728.2

申请日：2024-08-07

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 方澍 ,  王甫 ,  鞠莉娜 ,  黄艳辉

IPC: G01C21/16 ,  G01C21/18 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本申请公开了一种MEMS惯性器件敏感结构及其制作方法，敏感结构包括衬底、敏感结构层和盖帽，敏感结构层包括敏感质量块和连接在敏感质量块上的梳齿电容，敏感质量块通过弹性支撑梁连接在衬底上，且敏感质量块悬空，敏感质量块上设有通孔；盖帽底面具有外凸的密封围框和阻挡块，阻挡块的外周设有软质金属层，阻挡块位于密封围框内，阻挡块贯穿通孔和衬底相连接，密封围框和衬底相连接；阻挡块和密封围框之间形成深空腔，以密封敏感质量块、梳齿电容和弹性支撑梁。本申请使敏感结构在强烈的过载冲击下得到保护。

公开(公告)号：CN119147786A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411352810.3

申请日：2024-09-26

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 齐越 ,  黄艳辉 ,  周铭 ,  方澍

IPC: G01P15/125 ,  G01P15/08 ,  G01P1/02

Abstract: 本发明提供一种抗高冲击的MEMS过载传感器模块，通过从结构设计跟封装两方面提高过载传感器的抗冲击性能。具体包含不锈钢组装管壳、PCB板、MEMS加速度传感器。MEMS加速度传感器及其相关元器件焊接在PCB板上，PCB板通过螺丝固定在模块组装管壳内，填充灌封胶后封模块盖组装板；所述模块组装管壳在组装PCB后，其内部填充的灌封胶，通过灌封防护可提高抗冲击性能；所述MEMS传感器由MEMS单轴梳齿电容式单轴加速度传感器结构和ASIC芯片组成；所述衬底与所述MEMS敏感结构通过锚点支撑、TSV连接，所述锚点采用离散小面积锚点，与传统单支点相比较，具有更低的应力。