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公开(公告)号：CN118929560A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410812768.2
申请日：2024-06-22
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有低电阻纵向布线的MEMS谐振芯片结构，属于MEMS技术领域。它包括由下到上依次设置的衬底层、具有谐振结构的结构层和盖帽层，衬底层和结构层之间通过衬底氧化层形成绝缘键合；盖帽层与结构层通过盖帽键合介质层键合连接；衬底层的内侧设有面向谐振结构的衬底空腔；盖帽层表面设有钝化层，盖帽层的内侧设有面向谐振结构的盖帽浅腔，盖帽层中设有用于信号传导的纵向布线，纵向布线周面设有用于和周侧体硅隔离的纵向绝缘环，纵向布线的外端与外露于钝化层表面的焊盘电性连接、内端通过金硅共晶反应所形成的共晶金属连接在谐振结构上。本发明可有效减小MEMS谐振芯片信号传输的寄生电阻和RC延迟，提高器件性能和稳定性。
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