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公开(公告)号：CN118712046A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410812766.3
申请日：2024-06-22
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/3213 , B08B7/00
Abstract: 本发明涉及一种去除PAD刻蚀工艺后F残留的方法，其特征在于在PAD刻蚀工艺后立即通入氩气和氧气进行等离子启辉清洗，所述氩气量为300‑400sccm，氧气流量为50‑100sccm，腔室压力为200‑300mT，射频功率为200‑400W，时间为30‑60s。本发明的优点：工艺简单，易于操作，生产效率高；可有效防止湿法清洗对金属焊盘的腐蚀，保证了器件的性能；且无需单独的清洗设备，成本低。
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