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公开(公告)号：CN116644625A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310386061.5
申请日：2023-04-12
Applicant: 安徽大学 , 华东光电集成器件研究所 , 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: G06F30/23 , G06F17/11 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种高效的基于多物理场耦合的微镜芯片分析方法，属于微机电系统领域，包括：建立梳齿偏转角度和力矩的映射关系，先对梳齿进行近似周期边界条件处理计算得到梳齿偏转角度和力矩的映射关系，再根据该映射关系对单轴可调微镜静电驱动器进行验证。最终使用有限元方法对复杂的双轴静电驱动器进行仿真，从而更快地对双轴静电驱动器进行热黏性声学和力学耦合的频域分析，该方案可对双轴可调微镜静电驱动器进行更高效的优化设计。
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公开(公告)号：CN116644625B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310386061.5
申请日：2023-04-12
Applicant: 安徽大学 , 华东光电集成器件研究所 , 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: G06F30/23 , G06F17/11 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种高效的基于多物理场耦合的微镜芯片分析方法，属于微机电系统领域，包括：建立梳齿偏转角度和力矩的映射关系，先对梳齿进行近似周期边界条件处理计算得到梳齿偏转角度和力矩的映射关系，再根据该映射关系对单轴可调微镜静电驱动器进行验证。最终使用有限元方法对复杂的双轴静电驱动器进行仿真，从而更快地对双轴静电驱动器进行热黏性声学和力学耦合的频域分析，该方案可对双轴可调微镜静电驱动器进行更高效的优化设计。
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公开(公告)号：CN117331211A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311328667.X
申请日：2023-10-14
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种电磁驱动扫描镜真空封装结构，包括管壳体，在管壳体内设有等待扫描芯片放置块和盖板，在盖板上和壳体设有对应配合的第一、二磁铁，在管壳体上设有等待扫描芯片形成电性连接的引脚，在管壳体开口端连接有光窗组件。本发明一体化真空封装，气密性好，通过设计一体化真空封装结构，可降低产品功耗，结构简单，组装方便适合批量化封装加工。
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公开(公告)号：CN112265954B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202011162993.4
申请日：2020-10-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种光MEMS器件封装结构及其制备方法，包括玻璃盖板层、器件结构层与TSV盖板层；所述玻璃盖板层包括玻璃片，玻璃片底部设有环形的硅密封框，硅密封框的框底设有浆料键合密封环；所述器件结构层包括可动结构，可动结构顶面设有镜面金属层；TSV盖板层包括硅片，硅片中心设有与可动结构形成配合的凹腔；玻璃盖板层通过浆料键合密封环与器件结构层的顶部相键合；所述TSV盖板层顶部与器件结构层底部通过上、下键合锚点以及上、下金属键合密封环相键合；该封装采用晶圆级封装，解决了芯片级MEMS扫描镜封装体积大、成本高、效率低的缺点。
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公开(公告)号：CN112271143A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011024268.0
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种硅片膜层腐蚀剩余厚度的监控方法，包括：在硅片的边缘部分预定义监控图形区域；在监控图形区域内对硅片的正面光刻、刻蚀深度为D1的第一观察槽以及深度为D2的第二观察槽，D1为硅片膜层腐蚀剩余厚度的上限值，D2为硅片膜层腐蚀剩余厚度的下限值；在监控图形区域内在硅片的正面与背面分别生长厚度为D3的二氧化硅层；S4、在监控图形区域内对硅片的背面光刻、刻蚀二氧化硅层形成深度为D3的第三观察槽；从硅片的背面进行各向异性腐蚀，第三观察槽跟随硅片一同被腐蚀；通过光学显微镜由第三观察槽作为观察窗口，观察第一观察槽与第二观察槽的图形可视化情况，判断硅片膜层腐蚀剩余厚度是否满足目标要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110568220A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910793469.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明公开一种抗干扰耐过载MEMS加速度计，包括依次键合的衬底层、感应电极层、可动敏感结构层与盖帽，感应电极层包含感应电极中心锚点与两侧的感应电极，可动敏感结构层包含第一可动敏感结构中心锚点、第一实心可动敏感结构与第一空心可动敏感结构；感应电极底部设有硅支撑柱，硅支撑柱顶端与感应电极相连、底端与衬底层相连；第一可动敏感结构中心锚点、第一实心可动敏感结构与第一空心可动敏感结构上方分别对称键合有第二可动敏感结构中心锚点、第二实心可动敏感结构与第二空心可动敏感结构，第一空心可动敏感结构与第二空心可动敏感结构之间形成闭合的空腔；本加速度计能够降低外界环境对器件性能影响，提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN104355286B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410535339.1
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种全硅MEMS器件，由衬底SOI硅片(17)、结构层硅片(10)及盖帽SOI硅片(16)经硅硅直接键合后组成，其特征在于：结构层硅片(10)及盖帽SOI硅片的顶层硅(6)采用低阻硅；盖帽SOI硅片的顶层硅(6)制成电互联线，通过键合面(5)与结构层硅进行硅硅直接键合，将该处结构层的电信号通过电互联线引出到盖帽SOI硅片中的硅电极(9)，与设置在硅电极(9)上的压焊点(3)电学连接，硅电极(9)与结构层硅硅直接键合。本发明优点在于：采用盖帽层体硅引线，避免结构层刻蚀反溅损伤；采用两次硅硅直接键合，无残余应力，硅硅直接键合气密性好，真空封装时无需额外添加吸气剂，能够有效降低成本。
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公开(公告)号：CN103575216B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201310588119.0
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01B11/00
Abstract: 本发明公开一种用于微机电构件硅深腔的无损检测方法，将清洁后的硅深腔构件(1)作为模具，使用聚二甲基硅氧烷铸模材料(2)倒入硅深腔构件(1)内进行铸摸，脱模后即得到凸起的具有硅深腔构件内表面形貌特征的聚二甲基硅氧烷铸模模型(3)，对聚二甲基硅氧烷铸模模型(3)外部形貌参数进行检测，然后进行反推运算即可得知硅深腔构件(1)内表面的形貌参数，检测过程简单方便，且无需破坏深腔构件(1)，能够有效地降低检测成本。
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公开(公告)号：CN102862947B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201210346195.6
申请日：2012-09-18
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法，其特征在于：采用硅硅直接键合技术实现晶圆级真空封装，硅衬底（10）上键合的硅结构层（15）采用低阻硅片，直接在硅结构层上刻蚀形成电互联引线（5），在硅盖帽（12）中引线通孔（13）中的电互联引线压焊区（4）上溅射铝电极（14）。本发明具有如下优点：采用全硅结构，键合后无残余应力，能够大大提高器件工作性能；利用低阻硅作为电极引线，避免了硅硅直接键合过程中高温对金属电极的破坏；硅硅直接键合气密性极好，大大降低了封装成本；这种方法一致性和可靠性高，工艺易于实现。
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公开(公告)号：CN103575216A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310588119.0
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01B11/00
Abstract: 本发明公开一种用于微机电构件硅深腔的无损检测方法，将清洁后的硅深腔构件(1)作为模具，使用聚二甲基硅氧烷铸模材料(2)倒入硅深腔构件(1)内进行铸摸，脱模后即得到凸起的具有硅深腔构件内表面形貌特征的聚二甲基硅氧烷铸模模型(3)，对聚二甲基硅氧烷铸模模型(3)外部形貌参数进行检测，然后进行反推运算即可得知硅深腔构件(1)内表面的形貌参数，检测过程简单方便，且无需破坏深腔构件(1)，能够有效地降低检测成本。
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