公开(公告)号：CN114300356B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202111479946.7

申请日：2021-12-07

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 张帅 ,  刘阳 ,  刘武博 ,  孙瑞瑞 ,  赵恩

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种用于雪崩二极管的微结构金属引脚的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：1）基片选择，2）基片清洗，3）蒸发，4）光刻，5）第一次湿法腐蚀，6）电镀，7）去胶，8）第二次湿法腐蚀，9）金属引脚的释放。本发明操作简单，使用方便，实施成本较低提高了引脚制备工艺后的线条控制精度，提高微结构制备的合格率及器件的产能，提高了企业经济效益。

公开(公告)号：CN114141675A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111479845.X

申请日：2021-12-07

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 高博 ,  张雷 ,  乔琪琪 ,  忽永瑞 ,  孙瑞瑞 ,  赵恩

IPC: H01L21/673 ,  C23C16/458

Abstract: 本发明涉及一种适用不同厚度晶圆的石英舟，包括一对上槽棒（1）和一对下槽棒（2），上、下槽棒相互平行且上槽棒位于下槽棒上侧，两下槽棒之间连接一组石英板（3），两下槽棒外侧通过石英板分别与上槽棒连接，上、下槽棒上分别均布一组V型槽（4），上槽棒的V型槽位置与下槽棒的V型槽位置相互对应，均处在同一截面，所述上槽棒上的V型槽槽底连通有第一I型槽（5），所述下槽棒上的V型槽槽底连通有第二I型槽（6），第一I型槽槽宽为0.8‑1.1mm，第二I型槽槽宽为0.4‑0.7mm。本发明适用不同厚度、相同直径晶圆，能够防止晶圆倾斜过大，提高片间均匀性，满足生产工艺要求，方便采用晶圆自动导片机进行自动化作业。

公开(公告)号：CN114300356A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111479946.7

申请日：2021-12-07

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 张帅 ,  刘阳 ,  刘武博 ,  孙瑞瑞 ,  赵恩

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种用于雪崩二极管的微结构金属引脚的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：1）基片选择，2）基片清洗，3）蒸发，4）光刻，5）第一次湿法腐蚀，6）电镀，7）去胶，8）第二次湿法腐蚀，9）金属引脚的释放。本发明操作简单，使用方便，实施成本较低提高了引脚制备工艺后的线条控制精度，提高微结构制备的合格率及器件的产能，提高了企业经济效益。