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公开(公告)号：CN112271133A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011026789.X
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/027 , B81C1/00
Abstract: 本发明公开一种基于三层胶的金属剥离方法，包括以下步骤：选择基片并清洗；在基片顶面旋涂第一光刻胶层；根据金属版图图形，在第一光刻胶层上进行图形曝光、显影；旋涂LOR胶层；在LOR胶层顶面旋涂第二光刻胶层；根据金属版图图形，在第二光刻胶层上进行图形曝光、显影；同时显影去除相对应的LOR胶层区域，使基片顶面的图形区域暴露；第二光刻胶层的图形内切小于第一光刻胶层的图形内切；溅射金属Pt，在基片顶面的图形区域得到金属图形；采用超声浸泡和剥离工艺，对剩余的第一光刻胶层、LOR胶层与第二光刻胶层同时剥离；该方法能够用于高精度线宽控制的金属图形化，提高金属线宽的均匀性，提高良率，且工艺简单。
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