公开(公告)号：CN103021843A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210425954.8

申请日：2012-10-31

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 简崇玺 ,  陈计学 ,  吕东锋 ,  丁继洪 ,  张学明 ,  高博

IPC: H01L21/3213

Abstract: 本发明涉及一种双极集成电路放大系数工艺改进方法，包括常规工艺制作BJT与JFET相兼容的双极集成电路的基本电路的步骤、在基本电路上制作电极引线步骤、以及后续工艺整理步骤，其特征在于所述的基本电路上制作电极引线的步骤为：1、接触孔一次光刻及刻蚀；2、孔氧化；3、淀积氮化硅；4、接触孔二次光刻及孔二次刻蚀，5、溅射纯铝，6、光刻刻蚀形成电极引线（25）及压焊点。本发明且具有如下优点：（1）能有效的释放氮化硅介质膜的应力，使其与此类双极电路的特性相匹配；（2）有效预防PNP管放大系数的衰减，稳定PNP管放大系数；（3）技术途径易于实现。

公开(公告)号：CN103021843B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201210425954.8

申请日：2012-10-31

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 简崇玺 ,  陈计学 ,  吕东锋 ,  丁继洪 ,  张学明 ,  高博

IPC: H01L21/3213

Abstract: 本发明涉及一种双极集成电路放大系数工艺改进方法，包括常规工艺制作BJT与JFET相兼容的双极集成电路的基本电路的步骤、在基本电路上制作电极引线步骤、以及后续工艺整理步骤，其特征在于所述的基本电路上制作电极引线的步骤为：1、接触孔一次光刻及刻蚀；2、孔氧化；3、淀积氮化硅；4、接触孔二次光刻及孔二次刻蚀，5、溅射纯铝，6、光刻刻蚀形成电极引线（25）及压焊点。本发明且具有如下优点：（1）能有效的释放氮化硅介质膜的应力，使其与此类双极电路的特性相匹配；（2）有效预防PNP管放大系数的衰减，稳定PNP管放大系数；（3）技术途径易于实现。

公开(公告)号：CN103531510A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310505350.9

申请日：2013-10-24

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 李苏苏 ,  丁继洪 ,  陈博 ,  姜楠 ,  吕东锋 ,  于航 ,  简崇玺 ,  张明浩 ,  陈计学 ,  郭群英

IPC: H01L21/68 ,  H01L23/544 ,  G03F9/00

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/682

Abstract: 本发明涉及一种半导体电路P+外延图形的转移对准光刻方法，包括以下步骤：(1)在双面光刻机对硅片正面用Ⅰ号掩膜版光刻电路图形及对准标记a；(2)将正面光刻的图形中进行砷注入，形成N＋图形及对准标记a；(3)用Ⅱ号掩膜版在硅片1的背面光刻对准标记b；（4）在硅片正面生长P-外延层；（5）将硅片1背面的对准标记b与Ⅲ号掩膜版对准标记对准，用Ⅲ号掩膜版在P-外延层上光刻电路图形。本发明的优点在于：通过将硅片正面对准符号转移到背面的技术，以背面对准符号作为前步图形套刻的参考点，解决P+埋层外延图形漂移的对准问题，套刻精度能达到2.5µm。

公开(公告)号：CN102915974A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210425955.2

申请日：2012-10-31

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 丁继洪 ,  吕东锋 ,  陈计学 ,  李苏苏 ,  简崇玺

IPC: H01L21/8248

Abstract: 本发明涉及一种双极与P沟自对准JFET管兼容工艺，通过其中栅区预氧化、沟道区注硼、栅区注磷、以及退火工艺，实现一种用于双极与栅自对准P沟JEFT兼容的集成放大器制造方法。克服了现有的非自对准栅形成的栅源/漏交叠寄生电容大，源端电阻和漂移区长度都偏大，器件取决于沟道区及漂移区的图形尺寸与掺杂浓度等缺陷。本发明的栅自对准结构的P沟JEFT管工艺具有如下优点：（1）实现了栅区与源/漏区自对准，减小了栅源/漏交叠寄生电容及源端电阻和漏端的漂移区长度。（2）栅自对准结构P沟JEFT管输出动态电阻大、跨导与夹断电压一致性好，失调与漏电流小。

公开(公告)号：CN106449740A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610715458.4

申请日：2016-08-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 姜楠 ,  简崇玺 ,  赵建强 ,  陈计学 ,  赵娟

IPC: H01L29/732 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/732 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66234 ,  H01L29/66272

Abstract: 本发明公开一种自由集电极纵向PNP管，包括P型衬底，P型衬底中心设有N-阱，N-阱外侧的P型衬底上设有外P+埋层，N-阱中心设有内P+埋层，P型衬底上方覆盖有N-外延层，N-外延层由外向内嵌有外P+隔离区、N+隔离区与内P+隔离区，外P+隔离区、N+隔离区与内P+隔离区间隔设置，外P+隔离区的底部与外P+埋层的顶部相接，N+隔离区的底部与N-阱的顶部相接；内P+隔离区的底部与内P+埋层的顶部相接；N-外延层中心还设有N-基区，N-基区上设有N+基区，N-基区中心设有P+发射区；发射极与N-阱通过深磷短接，接器件工作电压，使N-阱与P型衬底、内P+埋层形成的PN结构处于反偏状态，实现器件纵向集电自由，克服了传统纵向PNP管集电极必须固定在最低电位的缺点。

公开(公告)号：CN102915974B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201210425955.2

申请日：2012-10-31

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 丁继洪 ,  吕东锋 ,  陈计学 ,  李苏苏 ,  简崇玺

IPC: H01L21/8248

Abstract: 本发明涉及一种双极与P沟自对准JFET管兼容工艺，通过其中栅区预氧化、沟道区注硼、栅区注磷、以及退火工艺，实现一种用于双极与栅自对准P沟JEFT管兼容的集成放大器制造方法。克服了现有的非自对准栅形成的栅源/漏交叠寄生电容大，源端电阻和漂移区长度都偏大，器件取决于沟道区及漂移区的图形尺寸与掺杂浓度等缺陷。本发明的栅自对准结构的P沟JEFT管工艺具有如下优点：（1）实现了栅区与源/漏区自对准，减小了栅源/漏交叠寄生电容及源端电阻和漏端的漂移区长度。（2）栅自对准结构P沟JEFT管输出动态电阻大、跨导与夹断电压一致性好，失调与漏电流小。