公开(公告)号：CN103021843B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201210425954.8

申请日：2012-10-31

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 简崇玺 ,  陈计学 ,  吕东锋 ,  丁继洪 ,  张学明 ,  高博

IPC: H01L21/3213

Abstract: 本发明涉及一种双极集成电路放大系数工艺改进方法，包括常规工艺制作BJT与JFET相兼容的双极集成电路的基本电路的步骤、在基本电路上制作电极引线步骤、以及后续工艺整理步骤，其特征在于所述的基本电路上制作电极引线的步骤为：1、接触孔一次光刻及刻蚀；2、孔氧化；3、淀积氮化硅；4、接触孔二次光刻及孔二次刻蚀，5、溅射纯铝，6、光刻刻蚀形成电极引线（25）及压焊点。本发明且具有如下优点：（1）能有效的释放氮化硅介质膜的应力，使其与此类双极电路的特性相匹配；（2）有效预防PNP管放大系数的衰减，稳定PNP管放大系数；（3）技术途径易于实现。

公开(公告)号：CN103021843A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210425954.8

申请日：2012-10-31

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 简崇玺 ,  陈计学 ,  吕东锋 ,  丁继洪 ,  张学明 ,  高博

IPC: H01L21/3213

Abstract: 本发明涉及一种双极集成电路放大系数工艺改进方法，包括常规工艺制作BJT与JFET相兼容的双极集成电路的基本电路的步骤、在基本电路上制作电极引线步骤、以及后续工艺整理步骤，其特征在于所述的基本电路上制作电极引线的步骤为：1、接触孔一次光刻及刻蚀；2、孔氧化；3、淀积氮化硅；4、接触孔二次光刻及孔二次刻蚀，5、溅射纯铝，6、光刻刻蚀形成电极引线（25）及压焊点。本发明且具有如下优点：（1）能有效的释放氮化硅介质膜的应力，使其与此类双极电路的特性相匹配；（2）有效预防PNP管放大系数的衰减，稳定PNP管放大系数；（3）技术途径易于实现。