公开(公告)号：CN103531510A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310505350.9

申请日：2013-10-24

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 李苏苏 ,  丁继洪 ,  陈博 ,  姜楠 ,  吕东锋 ,  于航 ,  简崇玺 ,  张明浩 ,  陈计学 ,  郭群英

IPC: H01L21/68 ,  H01L23/544 ,  G03F9/00

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/682

Abstract: 本发明涉及一种半导体电路P+外延图形的转移对准光刻方法，包括以下步骤：(1)在双面光刻机对硅片正面用Ⅰ号掩膜版光刻电路图形及对准标记a；(2)将正面光刻的图形中进行砷注入，形成N＋图形及对准标记a；(3)用Ⅱ号掩膜版在硅片1的背面光刻对准标记b；（4）在硅片正面生长P-外延层；（5）将硅片1背面的对准标记b与Ⅲ号掩膜版对准标记对准，用Ⅲ号掩膜版在P-外延层上光刻电路图形。本发明的优点在于：通过将硅片正面对准符号转移到背面的技术，以背面对准符号作为前步图形套刻的参考点，解决P+埋层外延图形漂移的对准问题，套刻精度能达到2.5µm。