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公开(公告)号：CN105242069A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510659840.3
申请日：2015-10-14
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/18 , G01P15/125
Abstract: 本发明公开一种抗过载电容式三轴MEMS加速度计，包括设于衬底上的X轴向、Y轴向与Z轴向检测单元，X轴向、Y轴向与Z轴向检测单元分别设有X轴向、Y轴向与Z轴向应力释放梁，X轴向、Y轴向应力释放梁均呈“口”字型，分别设于各自的弹性梁上；Z轴向应力释放梁均包含两级呈“冂”字形的应力释放梁，设于Z轴质量块的开口侧；通过应力释放梁将应力集中区域由各自锚点与各轴向弹性梁的连接处扩展到整个弹性梁上，有效分担应力集中区域的应力；避免了加速度计受高过载冲击的影响，保证了加速度计能在高过载下正常工作，提高了加速度计的固有频率，振型更加稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106241731A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610715431.5
申请日：2016-08-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种平板电容MEMS器件电容间隙的控制制备方法，包括以下步骤：S1）采用双抛硅片作为衬底，通过热氧化在衬底上制作第一氧化层，然后在氧化层上利用LPCVD制备氮化硅层；S2）制备衬底容腔，在衬底容腔上制备第二氧化层；S3）通过刻蚀去除衬底容腔以外的氮化硅层，并通过BOE漂去所有的氧化层，形成平板电容式MEMS器件的电容间隙；S4）将可动结构层与制备完电容间隙的衬底硅硅键合，再通过盖帽做晶圆级封装，得到平板电容式MEMS器件；利用高温形成的氧化层厚度控制电容间隙的厚度，由于高温形成的氧化层厚度在片内及片间均有良好的一致性，因此，可以保证平板电容式MEMS器件性能、片内及片间的一致性与重复性，加工工艺比较简单，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN105293419B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510661530.5
申请日：2015-10-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种防止悬浮层刻蚀损伤的MEMS器件，其特征在于：衬底硅（3）表面设有浅腔4）、电极（9）及电极隔离槽（5），在浅腔（4）表面设有厚度1500Å-5000Å的第一氧化层（6）和厚度范围500Å-1500Å的第二氧化层（7），可动结构层8）键合到衬底的SOI硅片顶层硅（3）上；盖帽硅片（10）通过玻璃浆料（11）与衬底的SOI硅片顶层硅（3）键合，实现晶圆级真空封装。本发明与传统MEMS器件相比优点在于：采用台阶式二氧化硅层对下电极结构进行保护，即能很好地保护下电极结构不被刻蚀，又能避免结构层发生刻蚀反溅损伤，保证可动结构的完整性，器件结构实现方法简单、可行，便于形成标准工艺。
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公开(公告)号：CN105182005A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510661916.6
申请日：2015-10-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及一种低应力加速度计，包括：a.衬底（13）中设有浅腔（2）以及衬底锚点（5）；b.电极结构层（1）中部设有的中心锚点（16），中心锚点（16）的两侧对称设有至少一个悬浮电极（4），悬浮电极（4）与下面的浅腔（2）对应配合，悬浮电极（4）的上表面设有向上活动间隙（11）；c.可动结构层（15），及其中设有的可动结构（10），其中部设有上层锚点（18）与中心锚点（16）对应键合连接；d.盖帽（14）。本发明具有如下优点：热应力对电极结构的影响大幅下降，使得电极结构在全温范围内几乎无形变，从而保证了器件在全温范围内左右两边电容的对称性，提高了传感器全温性能。
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公开(公告)号：CN105182005B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201510661916.6
申请日：2015-10-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及一种加速度计，包括：a.衬底（13）中设有浅腔（2）以及衬底锚点（5）；b.电极结构层（1）中部设有的中心锚点（16），中心锚点（16）的两侧对称设有至少一个悬浮电极（4），悬浮电极（4）与下面的浅腔（2）对应配合，悬浮电极（4）的上表面设有向上活动间隙（11）；c.可动结构层（15），及其中设有的可动结构（10），其中部设有上层锚点（18）与中心锚点（16）对应键合连接；d.盖帽（14）。本发明具有如下优点：热应力对电极结构的影响大幅下降，使得电极结构在全温范围内几乎无形变，从而保证了器件在全温范围内左右两边电容的对称性，提高了传感器全温性能。
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公开(公告)号：CN105293419A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510661530.5
申请日：2015-10-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种防止悬浮层刻蚀损伤的MEMS器件，其特征在于：衬底硅（3）表面设有浅腔（4）、电极（9）及电极隔离槽（5），在浅腔（4）表面设有厚度1500？-5000？的第一氧化层（6）和厚度范围500？-1500？的第二氧化层（7），可动结构层（8）键合到衬底的SOI硅片顶层硅（3）上；盖帽硅片（10）通过玻璃浆料（11）与衬底的SOI硅片顶层硅（3）键合，实现晶圆级真空封装。本发明与传统MEMS器件相比优点在于：采用台阶式二氧化硅层对下电极结构进行保护，即能很好地保护下电极结构不被刻蚀，又能避免结构层发生刻蚀反溅损伤，保证可动结构的完整性，器件结构实现方法简单、可行，便于形成标准工艺。
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