公开(公告)号：CN115747736A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211341955.4

申请日：2022-10-31

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 张帅 ,  刘博治 ,  肇伟懿 ,  张雷 ,  忽永瑞

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/04 ,  C23C14/50 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种晶圆级深腔沉积薄膜图形化的制备方法及其夹具，它包括在夹具上先设置与深腔沉积金属薄膜图形对应的通孔，而后将待加工的晶圆放入到夹具内，而后将夹具溅射设备高真空环境下，再利用磁控溅射，通过氩气轰击靶才，使其金属晶粒沉积于硅片上形成金属膜层，形成表面深腔沉积金属薄膜图形。本发明有效的提高了制备关键工艺参数的控制精度，提高工艺制备的合格率及器件的产能，且实施成本较低，达到提高企业经济效益。

公开(公告)号：CN117008321A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310994431.3

申请日：2023-08-09

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 王帆 ,  张帅 ,  肇伟懿

IPC: G02B26/08 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明涉及一种宽可调范围的MEMS法布里珀罗滤波器芯片结构，它包括固定镜结构和连接在其上方的可动镜结构，可动镜结构和固定镜结构共同构成FP谐振腔，固定镜结构具有第一电极、可动镜结构具有第二电极，当第一、第二电极存在电势差时，可动镜结构向固定镜结构偏移，FP谐振腔的腔长减小，可动镜结构上方设有与之连接的顶部固定结构，顶部固定结构与可动镜结构之间具有空腔，顶部固定结构具有第三电极，当第二、第三电极存在电势差时，可动镜结构向顶部固定结构偏移，使FP谐振腔的腔长增大。本发明拓展了FP谐振腔可动镜的位移方向，同样的作用力下可动镜运动的位移大小并未改变，进而在增加了腔长调谐范围的同时，其腔长调谐精度未受到影响。