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发明公开
一种晶圆级深腔沉积薄膜图形化的制备方法及其夹具审中-实审

公开(公告)号：CN115747736A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211341955.4

申请日：2022-10-31

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 张帅 , 刘博治 , 肇伟懿 , 张雷 , 忽永瑞

IPC: C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/04 , C23C14/50 , B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种晶圆级深腔沉积薄膜图形化的制备方法及其夹具，它包括在夹具上先设置与深腔沉积金属薄膜图形对应的通孔，而后将待加工的晶圆放入到夹具内，而后将夹具溅射设备高真空环境下，再利用磁控溅射，通过氩气轰击靶才，使其金属晶粒沉积于硅片上形成金属膜层，形成表面深腔沉积金属薄膜图形。本发明有效的提高了制备关键工艺参数的控制精度，提高工艺制备的合格率及器件的产能，且实施成本较低，达到提高企业经济效益。

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