公开(公告)号：CN117289566A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311329911.4

申请日：2023-10-16

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 郭立建 ,  何凯旋 ,  陈博 ,  王帆 ,  陈静 ,  赵井宇 ,  高园园 ,  张芮

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种提升双面光刻对准精度的方法，包括以下步骤：制作掩膜板，它具有用于晶圆正面的第一步进对准标记、第一套刻检查标记和第一层图形，用于晶圆反面的第二步进对准标记、第二套刻检查标记和第二层图形；取硅晶圆，在晶圆正面光刻第一步进对准标记、第一套刻检查标记和第一层图形；在晶圆背面光刻第二步进对准标记、第二套刻检查标记；利用双面套刻检查设备，测量第一、第二套刻标记的偏差参数；将测得的套刻偏差参数补偿到背面的光刻程序中，利用第二步进对准标记进行对准，光刻第二层图形。本发明将测量第一、第二套刻标记的偏差参数，补偿到背面的光刻程序中光刻第二层图形，提高双面光刻对准精度至纳米量级。