公开(公告)号：CN118583334A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410815487.2

申请日：2024-06-22

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 吴照川 ,  王鹏 ,  曹卫达 ,  王文婧 ,  张宏昆

IPC: G01L1/18 ,  G01L9/06 ,  G01L19/04

Abstract: 本发明涉及一种硅压阻式压力传感器的灵敏度温度补偿结构，硅压阻式压力传感器芯片由R1、R2、R3与R4四个压敏电阻构成的电桥组成，在桥臂电阻R2上并联一个低温漂系数电阻Ra、以及在另一个不相连的桥臂R3上串联低温漂系数电阻Rb，在电桥的输出端分别接入低温度系数电阻R以及正温度系数热敏电阻Rp，以此补偿灵敏度温度漂移本发明提高压力传感器的测量精度，并且在电桥输入端增加可调电压模块，可对电桥输出量进行调整，弥补输出损耗，硬件电路结构简单，补偿效果显著且传感器输出损耗小。

公开(公告)号：CN115793515B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202211341060.0

申请日：2022-10-30

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 李奥 ,  郭威 ,  何凯旋 ,  赵娟 ,  宋有禹 ,  吴照川

IPC: G05B19/042 ,  G02B26/08

Abstract: 本发明涉及一种基于FPGA的MEMS振镜驱动信号的同步方法，信号波形存储到FPGAROM中控制PSW读出ROM中信号；相位累加器对PSW的控制；ROM产生的驱动信号进行相位同步获得初相位差；快轴驱动信号PSW值处于PSW1‑PSWmax/2n至PSW1时，快轴同步使能信号sync_ready_out1拉高；慢轴驱动信号PSW值处于PSW2‑PSWmax/2n至PSW2时，慢轴同步使能信号sync_ready_out2拉高；获得两轴信号重合部分，同一时刻回到初相位完成了同步。本发明可显著改善直接相位同步带来的驱动信号形状突变，保证驱动信号在相位同步时相位的连续性，减小相位同步对MEMS振镜造成的不良影响。

公开(公告)号：CN118641036A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410825950.1

申请日：2024-06-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 王文婧 ,  吴照川 ,  赵少宇 ,  张森 ,  王帆 ,  王鹏

IPC: G01J4/04 ,  G01J3/447 ,  G01M11/02 ,  G01J3/28 ,  G01J3/02

Abstract: 本发明公开一种集成偏振光谱滤波器及其测试方法，包括：滤波器阵列芯片与封装外壳；其中，滤波器阵列芯片包含：可调谐法布里‑珀罗滤光阵列结构与微偏振片阵列结构；法布里‑珀罗滤光阵列结构由M×N个独立的滤波器组成；每个光滤波器由两个平行的镜面构成法布里‑珀罗腔，其中一个镜面为固定镜，另一个镜面为可动镜；在相邻的4个滤波器的可动镜上分别设有4个0°、45°、90°以及135°不同方向的微偏振像素单元，将4个不同方向的微偏振像素单元按预设规律排列；4个不同方向的微偏振像素单元构成一个超像素单元结构。采用本发明的技术方案，以解决以往滤波器不能同时具备目标光谱信息探测能力及偏振信息探测能力的问题。

公开(公告)号：CN116015231A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211516205.6

申请日：2022-11-30

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 张宏昆 ,  王鹏 ,  吴照川 ,  郭威

IPC: H03F3/26 ,  G01L1/00 ,  G01L19/00 ,  H03F3/68 ,  H03F3/213

Abstract: 本发明提供一种压力传感器调制电路，包括：前置滤波器将差分信号经过滤波输出给增益放大器，经过放大后输出给模数转换器，将数字信号输出给信号处理；信号处理器经过数据处理后输出给数模转换，同时也与HART收发器进行数字信号的输入和输出；数模转换器数字信号转换为模拟电压信号输出给4‑20mA恒流发生器，它将数模转换后的模拟电压信号，经过V/I电路，产生4‑20mA恒流与HART收发器产生的HART总线发送信号并联并输出。本发明的优点是：运放电路的器件耐压高，推挽功率放大电路，采用互补推挽电路结构，防止输出信号形变，用于解决现有压力传感器调制电路只能配套芯体，兼容性差，受振动时输出信号不稳定的缺点。

公开(公告)号：CN115793515A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211341060.0

申请日：2022-10-30

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 李奥 ,  郭威 ,  何凯旋 ,  赵娟 ,  宋有禹 ,  吴照川

IPC: G05B19/042 ,  G02B26/08

Abstract: 本发明涉及一种基于FPGA的MEMS振镜驱动信号的同步方法，信号波形存储到FPGAROM中控制PSW读出ROM中信号；相位累加器对PSW的控制；ROM产生的驱动信号进行相位同步获得初相位差；快轴驱动信号PSW值处于PSW1‑PSWmax/2n至PSW1时，快轴同步使能信号sync_ready_out1拉高；慢轴驱动信号PSW值处于PSW2‑PSWmax/2n至PSW2时，慢轴同步使能信号sync_ready_out2拉高；获得两轴信号重合部分，同一时刻回到初相位完成了同步。本发明可显著改善直接相位同步带来的驱动信号形状突变，保证驱动信号在相位同步时相位的连续性，减小相位同步对MEMS振镜造成的不良影响。

公开(公告)号：CN115520831A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202211188875.X

申请日：2022-09-28

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 赵娟 ,  郭威 ,  陈婧瑶 ,  向圆 ,  李奥 ,  宋有禹 ,  吴照川 ,  丁艳丽

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  G01R27/14

Abstract: 本发明提供一种用于测试硅硅键合导通电阻的结构及其制备方法，它包括取第一SOI硅片和第二SOI硅片，在第一SOI硅片的顶层硅上制作与第二SOI硅片键合连接的凸台、与凸台连接的下结构层硅引线；在第一SOI硅片的顶层硅表面生成保护氧化层，去除凸台表面的氧化层；将第二SOI顶层硅与凸台表面直接键合形成上下层；去除第二SOI硅衬底，露出顶层硅，在该层表面制作金属PAD点和上结构层硅引线。本发明具有步骤简便，立体交叉结构简单明了，适用于SOI体硅MEMS工艺的硅‑硅键合质量无损伤评价。