公开(公告)号：CN117191228A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311099538.8

申请日：2023-08-30

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 赵娟 ,  郭威 ,  宋有禹 ,  李奥 ,  丁艳丽 ,  高园园

IPC: G01L1/18 ,  G01L9/06

Abstract: 本发明涉及一种适用于单片集成压力传感器阵列的低应力结构，包括由上到下依次叠置的压力感应结构层、固定支撑层、纵向应力缓冲层和连接板；压力感应结构层包括在表面设置的一组压阻电桥结构单元阵列，每个压阻电桥结构单元下侧设有背腔、周侧设有第一环槽；固定支撑层上设有与每个背腔对应连通的第一通孔；纵向应力缓冲层包括在下表面与压阻电桥结构单元相对应的凸台，每个凸台上设有与每个第一通孔对应连通的第二通孔，该组凸台表面与连接板连接形成点阵接触连接；连接板上设有与每个第二通孔对应连通的第三通孔。本发明实现了外界应力的横、纵向缓冲，并且该结构不显著增加MEMS压力传感器阵列芯片的工艺加工难度，可灵活应用，易于实现。

公开(公告)号：CN115793515B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202211341060.0

申请日：2022-10-30

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 李奥 ,  郭威 ,  何凯旋 ,  赵娟 ,  宋有禹 ,  吴照川

IPC: G05B19/042 ,  G02B26/08

Abstract: 本发明涉及一种基于FPGA的MEMS振镜驱动信号的同步方法，信号波形存储到FPGAROM中控制PSW读出ROM中信号；相位累加器对PSW的控制；ROM产生的驱动信号进行相位同步获得初相位差；快轴驱动信号PSW值处于PSW1‑PSWmax/2n至PSW1时，快轴同步使能信号sync_ready_out1拉高；慢轴驱动信号PSW值处于PSW2‑PSWmax/2n至PSW2时，慢轴同步使能信号sync_ready_out2拉高；获得两轴信号重合部分，同一时刻回到初相位完成了同步。本发明可显著改善直接相位同步带来的驱动信号形状突变，保证驱动信号在相位同步时相位的连续性，减小相位同步对MEMS振镜造成的不良影响。

公开(公告)号：CN115793515A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211341060.0

申请日：2022-10-30

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 李奥 ,  郭威 ,  何凯旋 ,  赵娟 ,  宋有禹 ,  吴照川

IPC: G05B19/042 ,  G02B26/08

Abstract: 本发明涉及一种基于FPGA的MEMS振镜驱动信号的同步方法，信号波形存储到FPGAROM中控制PSW读出ROM中信号；相位累加器对PSW的控制；ROM产生的驱动信号进行相位同步获得初相位差；快轴驱动信号PSW值处于PSW1‑PSWmax/2n至PSW1时，快轴同步使能信号sync_ready_out1拉高；慢轴驱动信号PSW值处于PSW2‑PSWmax/2n至PSW2时，慢轴同步使能信号sync_ready_out2拉高；获得两轴信号重合部分，同一时刻回到初相位完成了同步。本发明可显著改善直接相位同步带来的驱动信号形状突变，保证驱动信号在相位同步时相位的连续性，减小相位同步对MEMS振镜造成的不良影响。

公开(公告)号：CN115520831A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202211188875.X

申请日：2022-09-28

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 赵娟 ,  郭威 ,  陈婧瑶 ,  向圆 ,  李奥 ,  宋有禹 ,  吴照川 ,  丁艳丽

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  G01R27/14

Abstract: 本发明提供一种用于测试硅硅键合导通电阻的结构及其制备方法，它包括取第一SOI硅片和第二SOI硅片，在第一SOI硅片的顶层硅上制作与第二SOI硅片键合连接的凸台、与凸台连接的下结构层硅引线；在第一SOI硅片的顶层硅表面生成保护氧化层，去除凸台表面的氧化层；将第二SOI顶层硅与凸台表面直接键合形成上下层；去除第二SOI硅衬底，露出顶层硅，在该层表面制作金属PAD点和上结构层硅引线。本发明具有步骤简便，立体交叉结构简单明了，适用于SOI体硅MEMS工艺的硅‑硅键合质量无损伤评价。