公开(公告)号：CN106067504A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610597887.6

申请日：2016-07-27

申请人： 安徽三安光电有限公司

发明人： 寻飞林 ,  张家宏 ,  蔡吉明 ,  林兓兓 ,  李政鸿 ,  曾双龙 ,  吴洪浩 ,  徐志军 ,  李毕庆

IPC分类号： H01L33/22 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02 ,  H01L33/22 ,  H01L21/02019

摘要： 本发明提供了一种图形化衬底及其制备方法，使用两次显影光刻的工艺，在增加图形高度及底座面积的同时获得适于外延生长的图形化衬底。具体技术方案为：S1、提供一基本衬底；S2、对所述基本衬底进行第一次蚀刻，得到具有周期性阵列的第一图案的图形化衬底，所述相邻第一图案底部边缘任意位置处的距离大于或等于0而小于或等于0.1微米；S3、对所述S2中的图形化衬底进行第二次蚀刻，得到具有周期性阵列的第二图案的图形化衬底，所述第二图案的底部边缘通过第二次蚀刻形成复数个蚀刻部，使得所述相邻第二图案底部边缘任意位置处的距离均大于0.1微米，以利于后续外延层的生长。

公开(公告)号：CN106062934A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580010484.0

申请日：2015-02-19

申请人： 富士胶片株式会社

发明人： 水谷笃史 ,  上村哲也

IPC分类号： H01L21/308 ,  C23F1/44

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C23F1/00 ,  C23F1/10 ,  C23F1/14 ,  C23F1/26 ,  C23F1/30 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02381 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提供一种蚀刻液。本发明的蚀刻液用于半导体工艺，含有磺酸化合物、卤素离子、硝酸或硝酸根离子、有机阳离子及水。

公开(公告)号：CN101155648B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN200680010817.0

申请日：2006-01-27

申请人： 应用材料公司

发明人： 阿卡第·V·萨沐罗夫 ,  阿里·佐扎伊

IPC分类号： B08B6/00 ,  C25F1/00 ,  C25F3/30

CPC分类号： H01L21/02019 ,  B08B7/0035 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814

摘要： 本发明的一种实施方式提供了一种处理含硅表面的方法，该方法包括通过慢蚀刻工艺(例如，约＜100/min)去除污染物和/或平滑衬底表面。将衬底暴露于包含蚀刻剂和硅源的蚀刻气体。优选地，蚀刻剂为氯气，并将衬底加热至小于约800℃的温度。在另一种实施方式中，提供了一种快蚀刻工艺(例如，约＞100/min)，该工艺包括去除硅材料，同时在衬底表面的源极/漏极(S/D)区域内形成凹槽。在另一种实施方式中，提供了一种清洁处理室的方法，该方法包括将处理室内表面暴露于包含蚀刻剂和硅源的室清洁气体。该室清洁工艺限制了对处理室内部的石英和金属表面的蚀刻。

公开(公告)号：CN103594330B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201310357603.2

申请日：2013-08-16

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： K.皮尔希

IPC分类号： H01L21/00 ,  C03C15/00

CPC分类号： C03C15/00 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

摘要： 本发明公开了蚀刻设备和方法。向工件供给蚀刻剂。此外，利用经空间调制的光来照射工件，以在供给蚀刻剂的同时调节所述工件的温度分布。

公开(公告)号：CN105655240A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610205189.7

申请日：2016-04-05

申请人： 福建晶安光电有限公司

发明人： 林武庆 ,  赖柏帆 ,  叶国伟

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/86

CPC分类号： H01L21/02008 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/86

摘要： 本发明公开了一种蓝宝石晶片的加工方法，该方法的具体流程为：线性切割、研磨和倒角、清洗、高温蚀刻、抛光、检测，该流程在传统流程倒角之后进行清洗，保证晶片的清洁度，然后进行高温蚀刻，高温蚀刻溶液为150~500℃的硫酸和磷酸，二者比例为6:1到1:6，蚀刻后清洗并进行常规抛光，该流程不仅缩短制程环节，节省加工时间，降低成本，提高生产效率，而且能够很好的消除应力，提高晶片表面均匀性。

公开(公告)号：CN105612605A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480049474.3

申请日：2014-08-20

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 桥本浩昌 ,  宇佐美佳宏 ,  青木一晃 ,  大葉茂

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/02024 ,  B24B37/08 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

摘要： 本发明是一种镜面研磨晶圆的制造方法，其对于从硅晶棒切片而成的多片硅晶圆，以批次方式分别实施下述各工序来制造多片镜面研磨晶圆，这些工序包含：切片歪斜除去工序，其除去因切片所产生的表面的歪斜；蚀刻工序，其除去在切片歪斜除去工序中所产生的歪斜；以及，双面研磨工序，其将蚀刻后的硅晶圆的双面进行镜面研磨；其特征在于，从在切片歪斜除去工序中的同一批次内已处理的硅晶圆当中，选择要在双面研磨工序中以批次方式处理的硅晶圆，且将该选择的硅晶圆的数量设定为与在切片歪斜除去工序中已处理的硅晶圆的数量相同或其约数。由此，提供一种镜面研磨晶圆的制造方法，其能够制造平坦度良好的镜面研磨晶圆。

公开(公告)号：CN105470110A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510634108.0

申请日：2015-09-29

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·伦纳 ,  L·布伦彻

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/02019 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/0274

摘要： 本公开的各种实施例涉及处理载体的方法、操作处理腔的方法和处理晶圆的方法。根据各种实施例，处理载体的方法可以包括：在处理腔内执行干法蚀刻处理，以通过蚀刻剂从载体去除第一材料，处理腔包括暴露的内表面，内表面包括铝且蚀刻剂包括卤素；以及随后在处理腔中执行氢等离子体处理，以从载体或处理腔的内表面中的至少一个去除第二材料。

公开(公告)号：CN105339183A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201480018775.X

申请日：2014-03-13

申请人： 东京毅力科创FSI公司

发明人： 凯文·L·西费灵 ,  威廉·P·尹霍费尔 ,  大卫·德克拉克

IPC分类号： B44C1/22 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/67075 ,  G05B19/418 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/4835 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6708

摘要： 提供了一种用于对用于在处理室中处理晶片的蚀刻溶液进行独立的温度和水合控制的方法和处理系统。所述方法包括：使蚀刻溶液在循环回路中循环；通过从蚀刻溶液中除去水或添加水来使蚀刻溶液保持在水合设定点；使蚀刻溶液保持在低于蚀刻溶液在循环回路中的沸点的温度设定点；以及将蚀刻溶液分配到处理室中以处理晶片。在一个实施方案中，所述分配包括：将蚀刻溶液分配到处理室中靠近晶片的处理区中；将蒸汽引入从处理室中的晶片移除的外部区；以及用蚀刻溶液和蒸汽处理晶片。

公开(公告)号：CN105097447A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510241268.9

申请日：2015-05-13

申请人： 佳能株式会社

发明人： 加藤雅隆 ,  樋口广志 ,  尾形美尚 ,  南聖子 ,  宇山刚矢 ,  坂井稔康

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： B41J2/1645 ,  B41J2/1404 ,  B41J2/14145 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/6715

摘要： 基板加工方法和制造液体排出头用基板的方法。该基板加工方法包括：在硅基板的第一表面形成第一孔，所述第一孔具有未贯通基板的深度；以及以使第二孔与第一孔连通的方式在第二表面形成第二孔，使得在基板中形成由第一孔和第二孔形成的通孔。形成第二孔的方法包括：在使第二孔与第一孔连通之后，通过干蚀刻在第一孔和第二孔之间形成比第一孔的开口宽的连通部。

公开(公告)号：CN105047528A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510219200.0

申请日：2015-05-04

申请人： 华北电力大学

发明人： 李美成 ,  李瑞科 ,  陈杰威 ,  付鹏飞 ,  白帆 ,  黄睿

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02019 ,  H01L21/02052

摘要： 本发明公开了属于半导体技术领域的一种用于制备大面积柔性超薄单晶硅片的湿法化学腐蚀法。本发明采用N（100）双面抛光单晶硅片，利用丙酮、无水乙醇、去离子水和氢氟酸预处理得到清洁的硅表面，配制由氢氧化钾、异丙醇和去离子水均匀混合而成的减薄液并放入水浴中预热，然后把用夹具固定好的硅片浸入减薄液，通过控制反应时间和温度可获得所需厚度的超薄硅片。超薄硅片表面光亮平整，呈镜面效果，无明显的减薄缺陷。本发明利用单步法简化硅片减薄的工艺过程，并保持了低温、常压下湿法腐蚀的特征，首次获得了厚度可达10mm以下的超薄硅片，拓宽了湿法硅刻蚀的应用范畴，为硅片减薄工艺提供了新的思路和技术手段。