-
公开(公告)号：CN116897438A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202180003207.2
申请日：2021-06-17
申请人： 安徽三安光电有限公司
IPC分类号： H01L33/14
摘要： 本发明属于半导体领域，尤其涉及氮化物半导体发光元件及其制作方法，其中氮化物半导体发光元件包括N型半导体层；P型半导体层；有源层，所述有源层位于所述N型半导体层和P型半导体层之间；盖层，所述盖层位于有源层和P型半导体层之间；空穴注入层，所述空穴注入层位于所述盖层和P型半导体层之间；电子阻挡层，所述电子阻挡层位于所述空穴注入层和P型半导体层之间；其特征在于：所述空穴注入层包括第一含铝层、第二含铝层以及第三含铝层，所述第二含铝层的铝含量高于第一含铝层的铝含量，且高于第三含铝层的铝含量。本发明在空穴注入层内插入高铝含量的第二含铝层，可以阻挡电子溢流以及改善电子阻挡层的极化电场。
-
公开(公告)号：CN113540301B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202110777409.4
申请日：2021-07-09
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本发明属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管及其制作方法，至少包括衬底，以及依次层叠于所述衬底之上的第一半导体层、应力释放层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层与所述应力释放层之间设有不含Al且不含In的第三半导体层，所述第三半导体层与应力释放层之间设有含Al的第四半导体层，所述第四半导体层与第三半导体层的厚度比为1:5~1:100。本发明可以有效降低电子的迁移速率，降低非辐射复合的几率并改善Droop效应，提高发光二极管的发光效率。
-
公开(公告)号：CN113540301A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110777409.4
申请日：2021-07-09
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本发明属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管及其制作方法，至少包括衬底，以及依次层叠于所述衬底之上的第一半导体层、应力释放层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层与所述应力释放层之间设有不含Al且不含In的第三半导体层，所述第三半导体层与应力释放层之间设有含Al的第四半导体层，所述第四半导体层与第三半导体层的厚度比为1:5~1:100。本发明可以有效降低电子的迁移速率，降低非辐射复合的几率并改善Droop效应，提高发光二极管的发光效率。
-
公开(公告)号：CN105648420B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201610081610.8
申请日：2016-02-05
申请人： 安徽三安光电有限公司
IPC分类号： C23C16/44
摘要： 本发明提供一种MOCVD反应腔室的清理装置及清理方法，属于半导体制造技术领域，本发明通过在承载盘上铰接清理手臂制作清理装置，并通过设定清理手臂与水平面的夹角α、及清理装置的旋转速度n，使清理手臂在最小转速下即可于竖直方向张开，进而对反应腔室内壁清理，减少能耗；同时实现了在不拆开反应腔室的基础上就可以将堆积于腔室内的沉积物清除干净，避免了反应腔室内部与大气接触吸附水汽、氧气等杂质。保持了反应腔室内部的洁净度，提高了在腔室维护过后机器性能的稳定性。
-
公开(公告)号：CN105470358A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201610061132.4
申请日：2016-01-29
申请人： 安徽三安光电有限公司
IPC分类号： H01L33/14
CPC分类号： H01L33/145
摘要： 本发明提出了一种发光二极管元件，包括衬底、N型半导体层、发光层和P型半导体层，其中，所述发光层的一侧或者两侧具有一避免发光二极管元件内部形成微型n-p-n结或p-n-p结的阻隔层，所述阻隔层为掺杂类型与相邻的半导体层相同的掺杂层，所述阻隔层由低掺杂层和高掺杂层依次交替堆叠而成，所述高掺杂层的掺杂浓度大于所述低掺杂层的掺杂浓度，所述低掺杂层浓度为1×1017~5×1017cm-3；所述阻隔层用于防止发光二极管元件在工作中出现电压回转现象造成的开/关延迟效应。
-
公开(公告)号：CN105047769A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510343304.2
申请日：2015-06-19
申请人： 安徽三安光电有限公司
发明人： 李政鸿 , 徐志波 , 林兓兓 , 其他发明人请求不公开姓名
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L21/7813 , H01L33/0079 , H01L33/22
摘要： 本发明提出了一种利用湿法蚀刻进行衬底剥离的发光二极管制备方法，先利用二次成长方式，制作并插入一层氮化铝层，藉由该层终止因衬底与后续外延层的晶格失配所导致缺陷的延伸；同时，二次成长中PVD法制备的氮化铝层因低温生长的多晶格特性，利用简单湿法方式即可腐蚀去除，以达到第一衬底简单、快速剥离的目的。
-
公开(公告)号：CN118448531A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410547326.X
申请日：2024-04-30
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种LED外延结构，其包括衬底、缓冲层、三维成核层和二维成核层，缓冲层覆盖衬底，三维成核层覆盖缓冲层，二维成核层覆盖三维成核层，其中，三维成核层中掺杂有杂质，三维成核层具有上表面和下表面，上表面相较于下表面临近二维成核层，下表面相较于上表面临近衬底，位于上表面处的杂质浓度低于位于下表面处的杂质浓度。借此设置，可以保障晶体质量，提升发光二极管的发光效率。
-
公开(公告)号：CN117352612A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311306932.4
申请日：2023-10-10
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本申请提供了一种发光二极管及发光装置，包括n型半导体层；在第一方向上，依次位于n型半导体层上的第一V坑开启层、第一多量子阱层、至少一层第二V坑开启层和第二多量子阱层的叠层结构；在第一方向上，第一V坑开启层和第二多量子阱层上贯穿设置有第一V型坑，第一V型坑部分延伸至第一V坑开启层；在第一方向上，第二多量子阱层上贯穿设置有第二V型坑，第二V型坑部分延伸至第二多量子阱层；p型半导体层，其位于第二多量子阱层上。本申请的发光二极管利用多重V型坑设计，增加了空穴注入，提升了复合发光效率。
-
公开(公告)号：CN116632133A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310486540.4
申请日：2023-05-04
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种半导体外延结构及LED芯片，其中，半导体外延结构，包括半导体叠层：N型半导体层；有源层，设置于所述N型半导体层上；电子阻挡层，设置于所述有源层上，所述电子阻挡层为含Al的半导体层；缺陷阻挡层，设置于所述电子阻挡层上，所述缺陷阻挡层为不含Al的半导体层；P型半导体层，设置于所述缺陷阻挡层上。本发明能优化提升P型半导体层和电子阻挡层的生长界面，缓解两者之间的晶格失配，提高发光二极管的质量及光电性能。
-
公开(公告)号：CN111403565B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202010228719.6
申请日：2020-03-27
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及发光二极管，包括依次层叠：衬底；第一导电型半导体层、应力释放层、有源层、第二导电型半导体层、第一电极和第二电极；其特征在于：所述第一阱层包括含In的材料层，第二阱层包括含In的材料层，所述第一垒层包括含Al或者不含Al的材料层，所述第二垒层包括含Al的材料层，所述第二垒层为多层材料层，所述多层材料层均为包括含Al的材料层。本发明可以提升有源层的生长质量，提高发光效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
76 条记录 (耗时 0.034 秒)
