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公开(公告)号：CN103236477A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310137286.3
申请日：2013-04-19
申请人： 安徽三安光电有限公司
IPC分类号： H01L33/04
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/007 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L2933/0025 , H01L2933/0033
摘要： 本发明公开一种LED外延结构及其制备方法，自下而上依次包括：衬底；GaN成核层；若干对AlGaN/n-GaN交替堆叠结构组成的超晶格缓冲层；n-GaN层；MQW发光层；p-GaN层以及p型接触层；其特征在于：定义Al（n）代表第n对AlGaN/n-GaN超晶格缓冲层对中Al组分值，N（n）代表第n对AlGaN/n-GaN超晶格缓冲层对中n型杂质浓度值，Al（n）的变化趋势是先逐渐上升再逐渐下降，N（n）的变化趋势是先逐渐上升再逐渐下降。本发明提供的LED外延片结构，可有效在底层生长段充分释放由于蓝宝石衬底和GaN晶格不匹配造成的晶格失配导致的晶格应力，从而大大降低外延片在整个高温生长过程中的翘曲，提升外延片波长集中性及良率，同时有效提升GaN晶格质量，减少晶格位错密度，使器件光电特性更为稳定。
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公开(公告)号：CN108110109B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201711474080.4
申请日：2017-12-29
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管，其通过在P型氮化物层中引入Fe掺杂氮化物层，用Fe元素和Mg元素共同作为空穴提供原子；由于Fe掺杂氮化物层空穴生成速率较Mg掺杂氮化物层的空穴生成速率快，以此来弥补传统Mg掺杂P型氮化物层相对多量子阱结构层物理位置前后差异导致的空穴迁移差异，从而形成较高浓度和较为稳定的空穴载子流。
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公开(公告)号：CN106067504A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610597887.6
申请日：2016-07-27
申请人： 安徽三安光电有限公司
CPC分类号： H01L21/02 , H01L33/22 , H01L21/02019
摘要： 本发明提供了一种图形化衬底及其制备方法，使用两次显影光刻的工艺，在增加图形高度及底座面积的同时获得适于外延生长的图形化衬底。具体技术方案为：S1、提供一基本衬底；S2、对所述基本衬底进行第一次蚀刻，得到具有周期性阵列的第一图案的图形化衬底，所述相邻第一图案底部边缘任意位置处的距离大于或等于0而小于或等于0.1微米；S3、对所述S2中的图形化衬底进行第二次蚀刻，得到具有周期性阵列的第二图案的图形化衬底，所述第二图案的底部边缘通过第二次蚀刻形成复数个蚀刻部，使得所述相邻第二图案底部边缘任意位置处的距离均大于0.1微米，以利于后续外延层的生长。
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公开(公告)号：CN105648420A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610081610.8
申请日：2016-02-05
申请人： 安徽三安光电有限公司
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： C23C16/4407
摘要： 本发明提供一种MOCVD反应腔室的清理装置及清理方法，属于半导体制造技术领域，本发明通过在承载盘上铰接清理手臂制作清理装置，并通过设定清理手臂与水平面的夹角α、及清理装置的旋转速度n，使清理手臂在最小转速下即可于竖直方向张开，进而对反应腔室内壁清理，减少能耗；同时实现了在不拆开反应腔室的基础上就可以将堆积于腔室内的沉积物清除干净，避免了反应腔室内部与大气接触吸附水汽、氧气等杂质。保持了反应腔室内部的洁净度，提高了在腔室维护过后机器性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN108110109A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711474080.4
申请日：2017-12-29
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管，其通过在P型氮化物层中引入Fe掺杂氮化物层，用Fe元素和Mg元素共同作为空穴提供原子；由于Fe掺杂氮化物层空穴生成速率较Mg掺杂氮化物层的空穴生成速率快，以此来弥补传统Mg掺杂P型氮化物层相对多量子阱结构层物理位置前后差异导致的空穴迁移差异，从而形成较高浓度和较为稳定的空穴载子流。
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公开(公告)号：CN103236477B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310137286.3
申请日：2013-04-19
申请人： 安徽三安光电有限公司
IPC分类号： H01L33/04
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/007 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L2933/0025 , H01L2933/0033
摘要： 本发明公开一种LED外延结构及其制备方法，自下而上依次包括：衬底；GaN成核层；若干对AlGaN/n-GaN交替堆叠结构组成的超晶格缓冲层；n-GaN层；MQW发光层；p-GaN层以及p型接触层；其特征在于：定义Al（n）代表第n对AlGaN/n-GaN超晶格缓冲层对中Al组分值，N（n）代表第n对AlGaN/n-GaN超晶格缓冲层对中n型杂质浓度值，Al（n）的变化趋势是先逐渐上升再逐渐下降，N（n）的变化趋势是先逐渐上升再逐渐下降。本发明提供的LED外延片结构，可有效在底层生长段充分释放由于蓝宝石衬底和GaN晶格不匹配造成的晶格失配导致的晶格应力，从而大大降低外延片在整个高温生长过程中的翘曲，提升外延片波长集中性及良率，同时有效提升GaN晶格质量，减少晶格位错密度，使器件光电特性更为稳定。
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公开(公告)号：CN106067504B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201610597887.6
申请日：2016-07-27
申请人： 安徽三安光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种图形化衬底及其制备方法，使用两次显影光刻的工艺，在增加图形高度及底座面积的同时获得适于外延生长的图形化衬底。具体技术方案为：S1、提供一基本衬底；S2、对所述基本衬底进行第一次蚀刻，得到具有周期性阵列的第一图案的图形化衬底，所述相邻第一图案底部边缘任意位置处的距离大于或等于0而小于或等于0.1微米；S3、对所述S2中的图形化衬底进行第二次蚀刻，得到具有周期性阵列的第二图案的图形化衬底，所述第二图案的底部边缘通过第二次蚀刻形成复数个蚀刻部，使得所述相邻第二图案底部边缘任意位置处的距离均大于0.1微米，以利于后续外延层的生长。
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公开(公告)号：CN105648420B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201610081610.8
申请日：2016-02-05
申请人： 安徽三安光电有限公司
IPC分类号： C23C16/44
摘要： 本发明提供一种MOCVD反应腔室的清理装置及清理方法，属于半导体制造技术领域，本发明通过在承载盘上铰接清理手臂制作清理装置，并通过设定清理手臂与水平面的夹角α、及清理装置的旋转速度n，使清理手臂在最小转速下即可于竖直方向张开，进而对反应腔室内壁清理，减少能耗；同时实现了在不拆开反应腔室的基础上就可以将堆积于腔室内的沉积物清除干净，避免了反应腔室内部与大气接触吸附水汽、氧气等杂质。保持了反应腔室内部的洁净度，提高了在腔室维护过后机器性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN205473974U
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201620224298.9
申请日：2016-03-23
申请人： 安徽三安光电有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/18
摘要： 本实用新型公开的金属有机化合物容器，包括瓶体，通过在进气管口设置的气体减速扩散装置，对进入瓶体的气体进行缓冲减速以及均匀扩散。所述气体减速扩散装置由数个环形挡板和一多孔筛板组成，所述数个环形挡板相对放置，对进入瓶体的气体起缓冲减速作用；而所述多孔筛板对进入瓶体的气体起均匀化扩散作用；环形挡板和多孔筛板共同作用使气体均匀进入瓶体内的金属有机化合物源体内，避免金属有机化合物源体因消耗不均匀出现局部溃塌的现象。
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公开(公告)号：CN205752222U
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201620666005.2
申请日：2016-06-30
申请人： 安徽三安光电有限公司
IPC分类号： H01L33/20
摘要： 本实用新型属于半导体技术领域，具体提供一种LED图形衬底及LED外延片，其中，所述图形衬底包括复数个均匀分布的图案，所述图案为圆锥形或者圆台形，其特征在于：所述圆锥形或者圆台形图案的侧面为由若干个相同的凹弧线组成的凹曲面，所述相邻图案中相对应的凹弧线在竖直平面上为其同心圆的两条对称弧，所述同心圆的半径大于或者等于所述图案的高度；所述LED外延片包括所述图形衬底及依次设置于所述图形衬底上的N型层、有源层和P型层。本实用新型通过将图案侧面设置为凹曲面状，通过增加一次反射射出的入射光区域，减小入射光的多次往返折射，进而提高LED外延片的光取出效率。
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